[發明專利]半導體模塊單元以及半導體模塊

有效

• 申請號: 201580001835.1
• 申請日: 2015-01-28
• 公開（公告）號: CN105531817B
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: 兩角朗;鄉原廣道;山田教文
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L23/36
• 分類號: H01L23/36;B23K1/00;H01L23/29;B23K101/40
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 王穎;金玉蘭

1.一種半導體模塊，其特征在于，具備：

半導體元件；

絕緣電路基板，其在絕緣基板的一側的主面內具有與所述半導體元件電連接的電路部件，并且在所述絕緣基板的另一側的主面內具有第一金屬部件；

冷卻器，其與所述絕緣電路基板的所述第一金屬部件接合；

第二金屬部件，其配置于所述第一金屬部件的外邊緣側，并且以至少一部分配置在比所述絕緣基板靠近外側的位置的方式設置于所述冷卻器表面，所述第二金屬部件與半導體元件和電路部件絕緣；

模塑樹脂部，其在使所述第一金屬部件的一部分和所述第二金屬部件的一部分露出的狀態下密封所述半導體元件、所述絕緣電路基板和所述第二金屬部件；

第一接合部件，將所述冷卻器和所述第一金屬部件之間進行接合；以及

第二接合部件，將所述冷卻器和所述第二金屬部件之間進行接合，

所述第二接合部件的一部分從所述模塑樹脂部露出，

所述絕緣基板的周邊從所述電路部件和所述第一金屬部件的周邊突出。

2.根據權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于，

所述第一金屬部件和第二金屬部件分離。

3.根據權利要求1或2所述的半導體模塊，其特征在于，

所述第一接合部件和第二接合部件的各自的邊界在冷卻器的主面上連接。

4.根據權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于，

所述第二金屬部件覆蓋了所述模塑樹脂部的側面的至少一部分。

5.根據權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于，

所述第二金屬部件具有對所述模塑樹脂部的外形進行加強的框狀。

6.根據權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于，

所述第二金屬部件在與所述模塑樹脂部相接的面設置有凹凸。

7.根據權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于，

所述第一接合部件和所述第二接合部件分別為不含有鉛的金屬接合材料。

8.根據權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于，

所述第一接合部件和所述第二接合部件分別為組成不同且不含有鉛的金屬接合材料。

9.根據權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于，

所述第二金屬部件在與所述第二接合部件相接的面具有凹凸。

10.根據權利要求9所述的半導體模塊，其特征在于，

所述第一接合部件為不含有鉛的金屬接合材料，所述第二接合部件為熱塑性樹脂或者熱固性樹脂。

11.根據權利要求7～10中任一項所述的半導體模塊，其特征在于，

所述第一接合部件為銀粒子被燒結而成的部件。

12.根據權利要求7或8所述的半導體模塊，其特征在于，

所述第二金屬部件在與所述第二接合部件相接的面，具有選自鍍鎳層、鍍金層、鍍銀層、鍍錫層、鍍銅層中的至少一個金屬層。

13.根據權利要求7或8所述的半導體模塊，其特征在于，

所述冷卻器在與所述第二接合部件相接的面，具有選自鍍鎳層、鍍金層、鍍銀層、鍍錫層、鍍銅層中的至少一個金屬層。

14.根據權利要求7或8所述的半導體模塊，其特征在于，

所述冷卻器的與所述第一接合部件相接的部分、以及所述第一金屬部件的與所述第一接合部件相接的部分具有選自鍍金層和鍍銀層中的至少一個金屬層。

15.根據權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于，

所述絕緣基板為陶瓷基板，所述陶瓷基板以選自氧化鋁、氮化硅、氮化鋁中的至少任意一種陶瓷材料為主要成分。