[發明專利]絕緣體靶

在審

• 申請號: 201580001472.1
• 申請日: 2015-06-02
• 公開（公告）號: CN105408515A
• 公開（公告）日: 2016-03-16
• 發明（設計）人: 小梁慎二;山本弘輝;田口洋治;難波隆宏
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 北京英特普羅知識產權代理有限公司 11015
• 代理人: 齊永紅

技術領域

本發明涉及一種在濺射裝置中使用的絕緣體靶。

背景技術

如今，使用氧化鋁膜或氧化鎂膜等絕緣膜例如作為MRAM(磁阻內存)的隧道勢壘，使用濺射(以下稱為“濺射”)裝置以便生產性良好地形成絕緣膜。在該裝置中，將基板和絕緣體靶(以下也稱為“靶”)相對配置在真空室內并向真空室內導入濺射氣體，與之配合地向靶施加交流電在基板與靶之間的空間中形成等離子體濺射靶的濺射面，使飛散出的濺射粒子附著并堆積在基板上形成絕緣膜。

目前，已知例如在專利文獻1中，為防止等離子體繞到靶的側面濺射到靶以外的部件(例如背板)，在將靶組裝到濺射裝置上時，在靶的周圍配置屏蔽件。在該設備中，減小靶的外周部的厚度，在減小厚度的外周部上距離規定間隔配置有屏蔽件。

但是，研究發現，如像上述以往的例子一樣，如果向外周部的厚度減小的靶施加交流電，靶和屏蔽件之間的間隙處會發生放電。這被認為是由于在濺射過程中，整個絕緣體靶的電位并不都是相同，比靶的中央部厚度略薄的靶的外周部的阻抗降低而引起的。

現有技術文獻

專利文獻

【專利文獻1】專利公開2001-64773號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

鑒于以上問題，本發明的目的是提供一種絕緣體靶，其在組裝到濺射裝置上并向其施加交流電時可防止在屏蔽件和靶之間的間隙處發生放電。

解決技術問題的手段

為了解決上述技術問題，在組裝到濺射裝置上時，周圍配置有屏蔽件的本發明的在濺射裝置中使用的絕緣體靶，其特征在于：具有板狀的靶材，其被屏蔽件環繞；以及環狀的支撐件，以靶材的一面為進行濺射的濺射面，該支撐件具有與靶材的另一面的外周邊部相連接，從靶材的周面向外伸出并距離屏蔽件規定間隔的延伸部，在向絕緣體靶施加交流電對濺射面進行濺射時，該支撐件的阻抗大于等于靶材的阻抗。另外，在本發明中，除了單獨形成的靶材和支撐件相連接的產品，還包括靶材和支撐件一體成型的產品。

根據本發明，不是如以往的例子那樣減小靶的外周部的厚度而配置屏蔽件，而是以靶材和環狀的支撐件構成靶，距離支撐件的延伸部規定間隔配置屏蔽件并在濺射靶材的濺射面時使支撐件的阻抗大于等于靶材的阻抗。因此，可防止在靶和屏蔽件之間發生放電，可防止濺射到靶以外的部件。

在本發明中，如果用相同材料形成靶材和支撐件，使支撐件的厚度大于等于靶材的板厚度的話，則可在濺射時使支撐件的阻抗大于等于靶材的阻抗。

在本發明中，也可用不同材料形成靶材和支撐件。此時，如果支撐件使用介電常數低于靶材的材料的話，則支撐件的厚度可比靶材的板厚薄，因此可加工性良好地生產絕緣體靶。且與用相同材料形成靶材和支撐件相比，可降低絕緣體靶的制造成本。

附圖說明

圖1是組裝了本發明的實施方式的絕緣體靶的濺射裝置的剖面示意圖。

圖2是絕緣體靶的剖面放大圖。

圖3(a)和(b)分別是絕緣體靶的其他實施方式的剖面圖。

具體實施方式

下面參照附圖以組裝在濺射裝置上的產品為例對本發明的實施方式的絕緣體靶進行說明。另外，在各附圖中，對于共同的要件采用了相同標號并省略重復說明。

參照圖1，SM是磁控方式的濺射裝置，該濺射裝置SM具有劃分出真空處理室1a的真空室1。真空室1的內頂部上安裝有陰極單元C。下面以朝向圖1中真空室1的內頂部側的方向為“上”，以朝向其底部側的方向為“下”進行說明。陰極單元C由絕緣體靶2、設置在絕緣體靶2上的背板3、以及設置在背板3上方的磁鐵單元4構成。