[發明專利]噴嘴頭,制造該噴嘴頭的方法和具有該噴嘴頭的液體供給設備有效
| 申請號: | 201580000944.1 | 申請日: | 2015-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN106170876B | 公開(公告)日: | 2018-02-06 |
| 發明(設計)人: | 李相昊;申權容;姜景太;姜熙錫;黃晙泳;曹觀鉉;姜敃圭 | 申請(專利權)人: | 韓國生產技術研究院 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司11243 | 代理人: | 許靜,安利霞 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 噴嘴 制造 方法 具有 液體 供給 設備 | ||
1.一種噴嘴頭,其包括:
一噴嘴基板;
一噴嘴尖端,其從所述噴嘴基板的下表面朝下突起,并且一噴嘴孔朝上和朝下穿過所述噴嘴尖端;
一回避凹座,其形成在所述噴嘴尖端的外周上,并且從所述噴嘴基板的下表面朝向所述噴嘴基板的上表面凹陷;
一真空形成孔,其布置成與所述噴嘴尖端隔開,并且穿過所述噴嘴基板的上表面和下表面;
一移動凹座,其在所述噴嘴基板的所述下表面上凹陷,并且使所述真空形成孔與所述回避凹座連通;以及
一片玻璃,其附著到所述噴嘴基板的所述下表面,并且其中所述玻璃的一面對所述噴嘴尖端的部分帶有孔。
2.根據權利要求1所述的噴嘴頭,其中一流動空間形成在所述移動凹座的底部與所述玻璃的上表面之間,其中液體流過所述流動空間或真空施加于所述流動空間。
3.根據權利要求1所述的噴嘴頭,其中一溶液供給管線和一真空/清洗液體施加管線連接到所述噴嘴基板的所述上表面,其中所述溶液供給管線與一噴嘴孔連通,且所述真空/清洗液體施加管線與所述真空形成孔連通。
4.根據權利要求3所述的噴嘴頭,其中所述溶液供給管線和所述真空/清洗液體施加管線聯接到一噴嘴背板,且所述噴嘴背板附著到所述噴嘴基板的所述上表面。
5.根據權利要求3所述的噴嘴頭,其中直徑大于所述噴嘴尖端的直徑的一圓形凹座形成在所述噴嘴基板的所述噴嘴尖端周圍,一分成多個部分的導引凹槽沿所述噴嘴尖端的圓周而形成在所述圓形凹座與所述噴嘴尖端之間,且一流動空間形成在所述圓形凹座與所述真空形成孔之間。
6.根據權利要求1所述的噴嘴頭,其中兩個或更多個噴嘴尖端和一個或多個真空形成孔形成在所述噴嘴基板中。
7.根據權利要求6所述的噴嘴頭,其中所述噴嘴基板具有矩形形狀,一流動空間沿著所述噴嘴基板的相鄰的兩條邊緣延伸,所述真空形成孔形成在順著所述兩條邊緣中的一條的所述流動空間的一端處,且與順著另一條邊緣的所述流動空間連通的兩個或更多個噴嘴尖端可平行于所述另一條邊緣而布置成一行。
8.根據權利要求7所述的噴嘴頭,其中一連接空間形成在所述噴嘴尖端與順著所述另一條邊緣的所述流動空間之間。
9.根據權利要求8所述的噴嘴頭,其中順著所述兩條邊緣中的一條的所述流動空間的橫截面積大于順著所述另一條邊緣的所述流動空間的橫截面積,且順著所述另一條邊緣的所述流動空間的橫截面積大于所述連接空間的橫截面積。
10.根據權利要求7所述的噴嘴頭,其中用于對準所述噴嘴尖端的一導引桿形成在順著所述另一條邊緣的所述流動空間與所述另一條邊緣之間。
11.根據權利要求8所述的噴嘴頭,其中形成有兩組流動空間,且所述噴嘴尖端、所述真空形成孔、所述連接空間與所述流動空間連通,且形成在所述兩組流動空間中的所述噴嘴尖端布置成平行于所述另一條邊緣。
12.根據權利要求5所述的噴嘴頭,其中安裝有一個或多個溶液供給管線,且一個溶液供給管線連接到一個或多個噴嘴尖端。
13.根據權利要求1所述的噴嘴頭,其中在一真空形成的操作期間通過所述真空形成孔取回液體,以使得液體的施加停止,且當釋放所述真空形成時施加所述液體。
14.根據權利要求13所述的噴嘴頭,其中一真空形成時間和一真空形成釋放時間受到控制以施加多種形狀。
15.一種液體供給設備,其包括:
一根據權利要求1到14中任一項所述的噴嘴頭,
其中一中間儲存槽連接到所述真空形成孔,且真空泵和回收槽分別連接到所述中間儲存槽。
16.根據權利要求15所述的液體供給設備,其中一清洗液體供給泵和一清洗液體儲存槽同時都連接到所述中間儲存槽。
17.根據權利要求15所述的液體供給設備,其中一第一凈化單元連接到所述真空形成孔和所述中間儲存槽。
18.根據權利要求15所述的液體供給設備,其中一單獨從所述真空泵分支的第二凈化單元連接到所述中間儲存槽。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





