[實用新型]一種用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路有效
| 申請號: | 201521134528.4 | 申請日: | 2015-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN205249240U | 公開(公告)日: | 2016-05-18 |
| 發明(設計)人: | 江建文;陳毅成;張明宇 | 申請(專利權)人: | 深圳中科訊聯科技有限公司 |
| 主分類號: | H04B17/21 | 分類號: | H04B17/21;G06K19/077 |
| 代理公司: | 深圳市愛迪森知識產權代理事務所(普通合伙) 44341 | 代理人: | 何婷 |
| 地址: | 518067 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 射頻 sim 低頻 信號 檢測 電路 | ||
1.一種用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路,其特征在于,所述檢測 電路包括:
感應線圈,用于耦合低頻磁場發出的信號,將所述信號轉化成電流;
匹配電路,用于降低耦合進入線圈中的電流在傳輸時的損耗,所述匹 配電路連接感應線圈兩端,包括第一電容和第二電容,所述第一電容與感 應線圈的一端相連后接地,所述第二電容與感應線圈的另一端相連后接地;
低通濾波電路,用于過濾高頻信號留下低頻信號,包括第一電阻、第 三電容、第二電阻、第四電容,所述第一電阻一端與第一電容的非接地端 相連,另一端與第三電容的非接地端相連,所述第二電阻一端與第二電容 的非接地端相連,另一端與第四電容的非接地端相連,所述第三電容一端 與第一電阻相連,另一端接地,所述第四電容一端與第二電阻相連,另一 端接地;
信號放大電路,用于將傳輸造成衰減的電流放大,包括第三電阻、第 四電阻和信號放大器,所述第三電阻一端與第三電容的非接地端相連,另 一端與信號放大器的正輸入端相連,所述第四電阻一端與信號放大器的正 輸入端相連,另一端與信號放大器的輸出端相連,所述信號放大器的負輸 入端與第四電容的非接地端相連。
2.根據權利要求1所述的用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路,其特 征在于,所述感應線圈的形狀與SIM卡的形狀和大小匹配,為圓形、矩形、 弧形、W形、S形或棍狀。
3.根據權利要求1所述的用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路,其特 征在于,所述感應線圈用陶瓷、磁性材料或銅質材料制成。
4.根據權利要求1所述的用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路,其特 征在于,所述感應線圈電感值L的取值范圍為1uH≤L≤10uH。
5.根據權利要求1所述的用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路,其特 征在于,所述感應線圈品質因數Q的取值范圍為10≤Q≤30。
6.根據權利要求5所述的用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路,其特 征在于,所述感應線圈品質因數Q為20。
7.根據權利要求1所述的用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路,其特 征在于,所述第一電阻R1的取值范圍為5Ω≤R1≤100Ω。
8.根據權利要求7所述的用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路,其特 征在于,所述第一電阻R1為10Ω。
9.根據權利要求1所述的用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路,其特 征在于,所述第二電阻R2的取值范圍為5Ω≤R2≤100Ω。
10.根據權利要求9所述的用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路,其 特征在于,所述第二電阻R2為10Ω。
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