[實用新型]有機發光二極管顯示裝置有效
| 申請號: | 201521086040.9 | 申請日: | 2015-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN205319157U | 公開(公告)日: | 2016-06-15 |
| 發明(設計)人: | 劉振宇;蘇信遠;林熙乾 | 申請(專利權)人: | 宸鴻光電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣臺北市內湖*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示裝置 | ||
技術領域
本實用新型是關于顯示技術,特別是關于一種有機發光二極管顯示裝置。
背景技術
由于有機發光二極管具有諸如自發光性、高操作速度、低操作電壓與薄元 件層等優點,故為顯示技術的主流之一。
一般來說,彩色式的有機發光二極管顯示裝置通常會在不同像素區中,采 用不同類型的有機材料。當電子與空穴在不同類型的有機材料層中結合時,可 發出不同顏色的光,從而顯示彩色影像。彩色式有機發光二極管顯示裝置的制 作過程中,通常會將不同像素區的材料(包含有機材料與電極材料等等)蒸鍍在 基板上。為了利于將材料蒸鍍在所需區域上,制造者通常會利用張網(tension mask)做為遮蔽,以遮蔽無需蒸鍍的區域,并露出欲蒸鍍的區域。在蒸鍍過程 中,由于張網無法緊密地貼合于基板上,故蒸鍍于像素區邊緣的材料容易發生 膜厚不均的現象。這樣的現象容易導致上、下兩電極的短路或產生漏電流。
為了克服這樣的問題,可在基板上先沉積一層像素定義層(pixeldefine layer;PDL),并露出基板的欲蒸鍍的區域,再進行蒸鍍作業。
當有機材料與電極材料蒸鍍完成后,會通過框膠貼合于保護蓋下方。然而, 由于保護蓋下表面僅貼合著框膠,故濕氣或氧氣容易從保護蓋與框膠之間的空 隙滲入保護蓋下方,而可能損害保護蓋下方的有機材料與電極材料。
實用新型內容
于本實用新型的多個實施方式中,有機發光二極管顯示裝置可有效地防止 濕氣及/或氧氣損害保護蓋下方的有機材料與電極材料。
依據本實用新型的一實施方式,一種有機發光二極管顯示裝置包含一驅動 基板、至少一有機發光二極管結構、至少一覆蓋電極、至少一像素定義結構以 及一保護蓋。驅動基板包含至少一像素電極。有機發光二極管結構是設置于像 素電極上。有機發光二極管結構是位于像素電極與覆蓋電極之間。像素定義結 構是設置于驅動基板上。像素定義結構具有一容置空間。有機發光二極管結構 與覆蓋電極是位于容置空間中。保護蓋覆蓋驅動基板、有機發光二極管結構、 覆蓋電極與像素定義結構。像素定義結構抵頂保護蓋。
于上述實施方式中,由于有機發光二極管結構與覆蓋電極均位于像素定義 結構的容置空間中,且像素定義結構抵頂保護蓋,因此,像素定義結構可防止 濕氣及/或氧氣滲入像素定義結構的容置空間中,從而防止濕氣及/或氧氣損害 有機發光二極管結構。
在本實用新型的一實施例中,該像素定義結構是用以將該有機發光二極管 結構所發出的光線反射回該容置空間中。
在本實用新型的一實施例中,該像素定義結構包含:
一透光體,位于該驅動基板上并定義該容置空間;以及
一反射體,位于該驅動基板上并被該透光體所覆蓋。
在本實用新型的一實施例中,該反射體至該保護蓋的最短距離是小于該有 機發光二極管結構至該保護蓋的最短距離。
在本實用新型的一實施例中,所述的有機發光二極管顯示裝置還包含一偏 振片,設置于該保護蓋上,并且該像素定義結構的該反射體是位于該偏振片與 該驅動基板之間。
在本實用新型的一實施例中,該像素定義結構包含:
一透光體,位于該驅動基板上并定義該容置空間;
一反射體,位于該驅動基板上;以及
一不透光體,至少部分的該不透光體是設置于該反射體上以位于該反射體 與該保護蓋之間。
在本實用新型的一實施例中,所述的有機發光二極管顯示裝置還包含一透 光填充體,該透光填充體是填充于該覆蓋電極與該保護蓋之間的一間隙中,且 該透光填充體的材質與該覆蓋電極的材質的折射率差異,小于該覆蓋電極的材 質與氣體的折射率差異。
在本實用新型的一實施例中,所述的有機發光二極管顯示裝置還包含一透 光填充體,該透光填充體是填充于該覆蓋電極與該保護蓋之間的一間隙中,其 中該透光填充體的材質的折射率是大于或等于該覆蓋電極的材質的折射率。
在本實用新型的一實施例中,該像素定義結構為不透光材料結構或反射材 料結構。
在本實用新型的一實施例中,所述的有機發光二極管顯示裝置還包含一框 體,抵頂于該驅動基板與該保護蓋之間,并位于該像素定義結構的外側。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





