[實用新型]一種直流電子束軌跡測量裝置有效
| 申請號: | 201521071940.6 | 申請日: | 2015-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN205333869U | 公開(公告)日: | 2016-06-22 |
| 發明(設計)人: | 張志豪;張晰哲;王妍;鄧永鋒;孫斌 | 申請(專利權)人: | 西安航天動力研究所 |
| 主分類號: | G01T5/10 | 分類號: | G01T5/10 |
| 代理公司: | 西安智邦專利商標代理有限公司 61211 | 代理人: | 楊亞婷 |
| 地址: | 710100 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 直流 電子束 軌跡 測量 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種電子束軌跡的測量裝置,特別是磁控直流電子束軌跡 的測量裝置。
背景技術
電子束在高尖端材料改性、高精度焊接以及制備等離子體等方面發揮著極 其重要的作用。電子束由電子束源在真空環境下生成,并通過特定裝置將其輸 運引出至所需的應用環境中。電子束輸運引出的質量和效率對電子束的應用至 關重要,因此需要準確測量出電子束軌跡,進而指導輸運引出裝置的設計。
在靜電場和磁場環境下,電子束的束徑在傳輸通道內不同位置有很大差別, 因此要準確測量電子束軌跡,需要對多個位置的束徑進行測量,然后再進行描 繪。傳統的電子束軌跡測量方法是用脈沖電子束轟擊熒光靶,并通過觀察靶上 的轟擊痕跡來確定電子束截面尺寸,但這種測量方法在測量直流電子束軌跡時 有以下弊端:
(1)熒光靶能夠承受的束流平均功率很低,無法承受直流電子束的轟擊, 只能用于脈沖電子束的測量;
(2)很多電子束源的直流和脈沖發射特性并不相同,用測量脈沖束的方 法測量直流束,獲得的結果會有偏差;
(3)熒光靶每次只能測量一個截面位置上電子束形狀,測量電子束不同 位置上的一組束徑必須多次改變測量位置,需要破壞真空環境或引入步進電機 等設備。
發明內容
本實用新型提供一種直流電子束軌跡的測量裝置,從而克服了傳統的脈沖 電子束軌跡測量方法無法測量直流電子束的技術問題,本實用新型提供一種直 流電子束軌跡測量裝置,可一次性準確測量整個輸運引出通道內直流電子束軌 跡。
本實用新型的技術解決方案是:
本實用新型所提供的直流電子束軌跡測量裝置,其特殊之處在于:包括一 個或多個金屬膜22、真空艙3、法拉第筒4、高壓電源5、電流表6、真空泵組 7及支撐結構,
所述真空艙3的一端與直流電子束源1連接,所述真空艙3的另一端與法 拉第筒4連接;一個或多個金屬膜22布置于真空艙內,并位于直流電子束軌 跡上的不同位置;所述真空泵組7與真空艙3連接用于真空艙的抽真空;所述 高壓電源5與直流電子束源1連接,使電子束源發射直流電子束;所述法拉第 筒4用于接收直流電子束流;所述電流表6與法拉第筒4連接,用于電流測量。
以上為本實用新型裝置的核心方案,基于該核心方案,本實用新型還做出 以下優化限定:
為了盡量避免對電子束源陰極產生污染,本實用新型的金屬膜為鈦膜,所 述金屬膜的厚度小于等于0.1mm。
再進一步的,為了更加方便準確地安裝金屬膜陣列,本實用新型的直流電 子束軌跡測量裝置還包括測量軸21,所述測量軸沿其軸向設置有通孔,所述通 孔的直徑為電子束預估直徑的4倍以上,所述測量軸21安裝于真空艙3內, 所述一個或多個金屬膜22安裝于測量軸21上。
再進一步的,為了測量使用永磁透鏡進行約束的磁控直流電子束的軌跡, 本實用新型的測量軸的內壁設置有內螺紋;所述直流電子束軌跡測量裝置還包 括多個永磁透鏡23和多個永磁透鏡支座26,永磁透鏡通過永磁透鏡支座26 安裝于測量軸通孔內,永磁透鏡支座26與測量軸通孔螺紋連接,永磁透鏡23 與金屬膜間隔排布。
再進一步的,為了測量使用電磁透鏡進行約束的磁控直流電子束軌跡,本 實用新型的測量軸的外壁設置有螺紋,所述直流電子束軌跡測量裝置還包括多 個電磁透鏡24和多個電磁透鏡支座27,電磁透鏡通過電磁透鏡支座27安裝于 測量軸通孔內,電磁透鏡支座27與測量軸外壁螺紋連接。
利用本實用新型的直流電子束軌跡測量裝置進行軌跡測量的方法,其特殊 之處在于:包括下列步驟:
1)將一個或多個金屬膜布置在直流電子束軌跡上的不同位置;
2)使金屬膜處于真空環境;
3)直流電子束源發射直流電子束;
4)直流電子束依次穿透多個金屬膜;
5)測量金屬膜上直流電子束所留下的孔洞;
6)測量并記錄每個金屬膜位置及孔徑,根據測量結果繪制直流電子束軌跡。
以上為本實用新型方法的核心方案,基于該核心方案,本實用新型還做出 以下優化限定:
上述步驟2)中真空度在1×10-3Pa以下。真空度在1×10-3Pa以下可以 有效減少電子束源陰極部分的污染,保證電子束源正常工作。
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