[實(shí)用新型]串聯(lián)晶閘管擊穿保護(hù)報(bào)警電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201521033223.4
• 申請(qǐng)日: 2015-12-11
• 公開（公告）號(hào): CN205301511U
• 公開（公告）日: 2016-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王章才;雷莉莉;張德勤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都派德克電力電子科技有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/14
• 分類號(hào): G01R31/14
• 代理公司: 北京市金棟律師事務(wù)所 11425
• 代理人: 吳小旭

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及到電力設(shè)備，尤其是運(yùn)用在軟啟動(dòng)器的串聯(lián)晶閘管擊穿保 護(hù)報(bào)警電路。

背景技術(shù)

軟啟動(dòng)器中采用多只晶閘管串聯(lián)來提高晶閘管的峰值反向電壓。在使用過 程中，若出現(xiàn)晶閘管擊穿，需要對(duì)其進(jìn)行更換，因此需要對(duì)晶閘管是否擊穿進(jìn) 行檢測?，F(xiàn)有的檢測方法是通過觸發(fā)過程中的電流反饋的信號(hào)來判定，這種方 法無法準(zhǔn)確定位擊穿的晶閘管。而且，由于電流發(fā)生變化的響應(yīng)時(shí)間較慢，導(dǎo) 致多只晶閘管同時(shí)擊穿。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是提供串聯(lián)晶閘管擊穿保護(hù)報(bào)警電路，對(duì)晶閘管的靜態(tài) 均壓電阻進(jìn)行分壓，當(dāng)晶閘管擊穿或?qū)〞r(shí)電壓降低，導(dǎo)致光纖發(fā)射管無法驅(qū) 動(dòng)，借此表示此檢測到的正反并聯(lián)晶閘管擊穿。

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：

串聯(lián)晶閘管擊穿保護(hù)報(bào)警電路，包括檢測單元和報(bào)警單元，所述檢測單元 包括分壓電阻器、變壓器、整流器、限流電阻和光纖發(fā)射管，所述分壓電阻器 連接變壓器，所述變壓器連接整流器，所述整流器連接限流電阻，所述限流電 阻連接光纖發(fā)射管，所述光纖發(fā)射管連接報(bào)警單元，所述分壓電阻器開設(shè)連接 端子，所述連接端子用于連接至所述晶閘管的靜態(tài)均壓電阻。對(duì)晶閘管的靜態(tài) 均壓電阻進(jìn)行分壓，當(dāng)晶閘管擊穿或?qū)〞r(shí)電壓降低，導(dǎo)致光纖發(fā)射管無法驅(qū) 動(dòng)，借此表示此檢測到的正反并聯(lián)晶閘管擊穿。低壓的報(bào)警單元與高壓的檢測 單元之間采用光纖隔離，無電氣連接，絕緣程度高。

在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述報(bào)警單元包括處理器和報(bào)警指示燈，所述 光纖發(fā)射管連接處理器，所述處理器連接報(bào)警指示燈。

在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述整流器與所述限流電阻之間連接電容，所 述電容另一端接地。

在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述處理器通過光耦合器連接至報(bào)警指示燈。

在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述檢測單元與報(bào)警指示燈的數(shù)量都為多個(gè)， 每個(gè)檢測單元的光纖發(fā)射管通過放大整形電路連接至處理器，所述處理器連接 每個(gè)報(bào)警指示燈，所述處理器將各個(gè)檢測單元與各個(gè)報(bào)警指示燈進(jìn)行對(duì)應(yīng)。報(bào) 警指示燈與檢測單元為一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系，通過報(bào)警指示燈可迅速找到對(duì)應(yīng)的擊 穿晶閘管。

在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述放大整形電路包括光纖接收管、運(yùn)算放大 器和濾波器，所述光纖發(fā)射管連接光纖接收管，所述光纖接收管連接運(yùn)算放大 器，所述運(yùn)算放大器連接濾波器，所述濾波器連接處理器。

在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述分壓電阻器為分壓比為500:1，功率為250 瓦的玻璃釉膜分壓電阻器。

在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，還包括繼電器，所述繼電器連接所述處理器。 在軟啟動(dòng)器觸發(fā)前，若本實(shí)用新型檢測出晶閘管發(fā)生擊穿，通過繼電器發(fā)出停 止信號(hào)，以防止故障擴(kuò)大。

本實(shí)用新型的有益效果為：

對(duì)晶閘管的靜態(tài)均壓電阻進(jìn)行分壓，當(dāng)晶閘管擊穿或?qū)〞r(shí)電壓降低，導(dǎo) 致光纖發(fā)射管無法驅(qū)動(dòng)，借此表示此檢測到的正反并聯(lián)晶閘管擊穿。低壓的報(bào) 警單元與高壓的檢測單元之間采用光纖隔離，無電氣連接，絕緣程度高。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì) 實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面 描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來 講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實(shí)用新型的檢測單元電路圖；

圖2是本實(shí)用新型的報(bào)警單元電路圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型的附圖，對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整 地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部 的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造 性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。