[實(shí)用新型]集成電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520975979.4
• 申請日: 2015-11-30
• 公開（公告）號: CN205282459U
• 公開（公告）日: 2016-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: E·佩蒂特普瑞茲
• 申請（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體（克洛爾2）公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/48
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種集成電路，其特征在于，包括：

至少一個有源區(qū)，所述至少一個有源區(qū)位于半導(dǎo)體襯底之上，

空腔，所述空腔與有源區(qū)接界，并且在絕緣區(qū)中延伸到半導(dǎo)體區(qū)域的附近，

絕緣多層；以及

導(dǎo)電接觸，所述導(dǎo)電接觸在所述絕緣多層內(nèi)、存在于所述有源區(qū)上并且進(jìn)入到所述空腔中，

其中所述絕緣多層包括：

第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋了在所述接觸外部的所述有源區(qū)，至少部分地襯覆所述空腔的壁，并且具有定位在所述接觸與所述半導(dǎo)體區(qū)域之間的區(qū)段，

絕緣區(qū)域，所述絕緣區(qū)域在所述第一絕緣層之上，包括圍繞所述接觸的至少一種絕緣材料，以及

附加絕緣層，所述附加絕緣層具有：第一部分，覆蓋了在所述接觸外部的所述第一絕緣層；以及第二部分，定位在所述接觸外部，在所述至少一種絕緣材料內(nèi)，并且與所述第一絕緣層的至少部分地襯覆所述空腔的所述壁的所述部分相隔一定距離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，其中所述附加絕緣層的材料與所述第一絕緣層的材料相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其特征在于，其中所述附加絕緣層和所述第一絕緣層包括氮化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，其中所述附加絕緣層的厚度在5納米與20納米之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，其中所述半導(dǎo)體襯底是由埋入式絕緣層承載的半導(dǎo)體膜，所述埋入式絕緣層自身又由載體襯底承載，所述埋入式絕緣層包括所述絕緣區(qū)的至少一部分，所述半導(dǎo)體區(qū)域是所述載體襯底的部分。

6.一種集成電路，其特征在于，包括：

至少一個有源區(qū)，所述至少一個有源區(qū)位于半導(dǎo)體襯底之上，

空腔，所述空腔與有源區(qū)接界，并且在絕緣區(qū)中延伸到半導(dǎo)體區(qū)域的附近，

絕緣多層；以及

導(dǎo)電接觸，所述導(dǎo)電接觸在所述絕緣多層內(nèi)、存在于所述有源區(qū)上并且進(jìn)入到所述空腔中，

其中所述絕緣多層包括：

第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋了在所述接觸外部的所述有源區(qū)，并且襯覆所述空腔的壁，

附加絕緣層，所述附加絕緣層覆蓋所述第一絕緣層的襯覆所述空腔的所述壁的所述部分，所述接觸在所述空腔中到達(dá)該附加絕緣層，以及

絕緣區(qū)域，所述絕緣區(qū)域在所述第一絕緣層和所述附加絕緣層之上，包括圍繞所述接觸的至少一種絕緣材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路，其特征在于，其中所述第一絕緣層包括氮化硅，并且所述附加絕緣層包括高介電常數(shù)氧化物。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路，其特征在于，其中所述半導(dǎo)體襯底是由埋入式絕緣層承載的半導(dǎo)體膜，所述埋入式絕緣層自身又由載體襯底承載，所述埋入式絕緣層包括所述絕緣區(qū)的至少一部分，所述半導(dǎo)體區(qū)域是所述載體襯底的部分。