[實(shí)用新型]一種GIS真型故障模擬試驗(yàn)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201520940337.0 | 申請(qǐng)日: | 2015-11-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN205263242U | 公開(kāi)(公告)日: | 2016-05-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 龍英凱;王謙;姚強(qiáng);吳高林;伏進(jìn);苗玉龍;陳偉;李龍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 國(guó)網(wǎng)重慶市電力公司電力科學(xué)研究院;國(guó)家電網(wǎng)公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/12 | 分類號(hào): | G01R31/12;G01N33/00;G01N23/04 |
| 代理公司: | 北京眾合誠(chéng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246 | 代理人: | 裴娜 |
| 地址: | 401123 重慶市渝北*** | 國(guó)省代碼: | 重慶;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 gis 故障 模擬 試驗(yàn)裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及電力試驗(yàn)設(shè)備領(lǐng)域,特別是一種GIS真型故障模擬試驗(yàn)裝置。
背景技術(shù)
GIS設(shè)備由于占地面積小、可靠性高,在電力系統(tǒng)中應(yīng)用越來(lái)越廣泛。為了確保GIS設(shè)備的投運(yùn)質(zhì)量,常采用回路電阻測(cè)量、交流耐壓等試驗(yàn)進(jìn)行交接把關(guān);為了確保運(yùn)行狀態(tài),常采用特高頻局部放電、超聲波局部放電、SF6氣體濕度檢測(cè)、SF6氣體分解產(chǎn)物檢測(cè)以及X光成像技術(shù)對(duì)GIS設(shè)備進(jìn)行例行和診斷試驗(yàn)。但目前仍存在一些問(wèn)題:
一是部分試驗(yàn)項(xiàng)目目前尚未成熟,需要一個(gè)真型GIS故障裝置作為平臺(tái)來(lái)進(jìn)行深入研究:
(1)GIS特高頻、超聲波局部放電檢測(cè)開(kāi)展時(shí)間不長(zhǎng),GIS特高頻、超聲波局部放電典型圖譜均在故障模型中檢測(cè)獲得,與現(xiàn)場(chǎng)實(shí)際情況存在一些差異,為了更好的指導(dǎo)現(xiàn)場(chǎng)局部放電檢測(cè),建立更全面的放電圖譜,需要一個(gè)真型的GIS故障試驗(yàn)裝置。
(2)SF6氣體分解產(chǎn)物檢測(cè)技術(shù)并不成熟,目前只能通過(guò)測(cè)量SO2和H2S的含量來(lái)判斷是否有故障,但對(duì)于通過(guò)分解產(chǎn)物來(lái)判斷故障類型以及完善分解產(chǎn)物判據(jù)還有大量的研究工作,因此也需要一個(gè)真型GIS故障試驗(yàn)裝置來(lái)深入研究SF6分解產(chǎn)物特征關(guān)系及碳氟類標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)研究。
(3)X光成像技術(shù)在GIS設(shè)備的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用還不廣泛,現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)不多,因此需要在真型的GIS故障試驗(yàn)裝置上進(jìn)行研究,確定X光成像技術(shù)可發(fā)現(xiàn)故障的類型以及嚴(yán)重程度,從而指導(dǎo)現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用。
二是為了更好了進(jìn)行以上試驗(yàn)項(xiàng)目的培訓(xùn),需要一個(gè)真型的GIS故障裝置。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的就是提供一種GIS真型故障試驗(yàn)系統(tǒng),該系統(tǒng)能夠?yàn)镚IS特高頻、超聲波局部放電檢測(cè)、SF6氣體分解產(chǎn)物檢測(cè)技術(shù)以及X光成像技術(shù)的深入研究提供試驗(yàn)研究平臺(tái)和培訓(xùn)平臺(tái)。
本實(shí)用新型的目的是通過(guò)這樣的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
本實(shí)用新型提供的一種GIS真型故障模擬試驗(yàn)裝置,包括試驗(yàn)加壓測(cè)試單元和GIS真型故障單元;
所述試驗(yàn)加壓測(cè)試單元通過(guò)連接母線與GIS真型故障單元連接;
所述試驗(yàn)加壓測(cè)試單元,用于對(duì)GIS真型故障單元施加高電壓并測(cè)量GIS真型故障單元中的局部放電量;
所述GIS真型故障單元,用于設(shè)置GIS設(shè)備產(chǎn)生的故障狀態(tài)并在試驗(yàn)加壓測(cè)試單元施加的高電壓作用下產(chǎn)生局部放電量。
進(jìn)一步,所述GIS真型故障單元中設(shè)置的故障狀態(tài)包括設(shè)置懸浮電位放電狀態(tài)、絕緣子內(nèi)部放電狀態(tài)、絕緣子沿面放電狀態(tài)、尖端放電狀態(tài)和自由金屬顆粒放電狀態(tài)。
進(jìn)一步,所述試驗(yàn)加壓測(cè)試單元通過(guò)轉(zhuǎn)接筒與連接母線連接。
進(jìn)一步,所述GIS真型故障單元包括第一GIS真型故障單元和第二GIS真型故障單元;
所述第一GIS真型故障單元和第二GIS真型故障單元分別包括依次連接且通過(guò)氣隔盆式絕緣子分開(kāi)的隔離開(kāi)關(guān)和故障設(shè)置氣室;
所述隔離開(kāi)關(guān)連接于連接母線與第一GIS真型故障單元之間;
所述連接母線段用于設(shè)置GIS真型故障狀態(tài);
所述故障設(shè)置氣室與隔離開(kāi)關(guān)連接用于設(shè)置GIS設(shè)備產(chǎn)生的故障狀態(tài)。
進(jìn)一步,所述第一GIS真型故障單元和第二GIS真型故障單元中的故障設(shè)置氣室上方分別設(shè)置有多個(gè)法蘭孔,所述法蘭孔用于在連接母線段內(nèi)設(shè)置或移除預(yù)設(shè)故障狀態(tài);在所述故障設(shè)置氣室下方設(shè)置有內(nèi)置特高頻傳感器,用于監(jiān)測(cè)真型故障產(chǎn)生的局部放電信號(hào);在所述故障設(shè)置氣室側(cè)方設(shè)置對(duì)穿孔并安裝有光學(xué)傳感器;所述光學(xué)傳感器用于監(jiān)測(cè)真型故障產(chǎn)生的光學(xué)信號(hào);在所述故障設(shè)置氣室內(nèi)安裝有SF6氣體密度繼電器與取氣閥門,所述取氣閥門用于監(jiān)測(cè)真型故障引起的氣體成分變化。
進(jìn)一步,所述第一GIS真型故障單元水平布置,所述第二GIS真型故障單元垂直布置。
由于采用了上述技術(shù)方案,本實(shí)用新型具有如下的優(yōu)點(diǎn):
本試驗(yàn)系統(tǒng)是研究GIS真型故障的試驗(yàn)系統(tǒng),有別于以往的放電模型裝置。該試驗(yàn)系統(tǒng)集成了GIS真型故障單元和GIS真型間隔單元,既能滿足真型故障下的試驗(yàn)研究,也能滿足正常狀態(tài)下的試驗(yàn)研究和教學(xué)培訓(xùn)任務(wù)。該實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)既能通過(guò)試驗(yàn)加壓測(cè)試單元對(duì)GIS進(jìn)行高電壓下的研究,也能通過(guò)兩端的出線套管施加大電流對(duì)GIS進(jìn)行大電流下的研究。
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- 同類專利
- 專利分類
G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
- 一種隔離開(kāi)關(guān)耐壓試驗(yàn)設(shè)備
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