[實用新型]一種晶格匹配的六結太陽能電池

有效

• 申請號: 201520934228.8
• 申請日: 2015-11-19
• 公開（公告）號: CN205385028U
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發明（設計）人: 張小賓;王雷;馬滌非;劉雪珍;劉建慶;張楊;楊翠柏
• 申請（專利權）人: 中山德華芯片技術有限公司
• 主分類號: H01L31/0304
• 分類號: H01L31/0304;H01L31/052;H01L31/0725;H01L31/074
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 梁瑩

1.一種晶格匹配的六結太陽能電池，包括有Ge襯底，其特征在于：所述Ge襯底為p型Ge單晶片；在所述Ge襯底上面按照層狀疊加結構由下至上依次設置有GaInAs/GaInP緩沖層、AlGaAs/GaInAsDBR、Ga_1-3xIn_3xN_xAs_1-x子電池、AlAs/AlGaAsDBR、Ga_1-3yIn_3yN_yAs_1-y子電池、GaInAs子電池、AlGaInAs子電池和AlGaInP子電池；所述GaInAs/GaInP緩沖層和AlGaAs/GaInAsDBR之間通過第一隧道結連接，所述Ga_1-3xIn_3xN_xAs_1-x子電池和AlAs/AlGaAsDBR通過第二隧道結連接，所述Ga_1-3yIn_3yN_yAs_1-y子電池和GaInAs子電池通過第三隧道結連接，所述GaInAs子電池和AlGaInAs子電池通過第四隧道結連接，所述AlGaInAs子電池和AlGaInP子電池通過第五隧道結連接；其中，所述AlGaAs/GaInAsDBR用于反射長波光子，所述AlAs/AlGaAsDBR用于反射中長波光子。

2.根據權利要求1所述的一種晶格匹配的六結太陽能電池，其特征在于：所述AlGaAs/GaInAsDBR的反射波長為1250～1350nm，該AlGaAs/GaInAsDBR中AlGaAs/GaInAs組合層的對數為10～30對。

3.根據權利要求1所述的一種晶格匹配的六結太陽能電池，其特征在于：所述Ga_1-3xIn_3xN_xAs_1-x子電池中Ga_1-3xIn_3xN_xAs_1-x材料的光學帶隙為0.90～0.95eV。

4.根據權利要求1所述的一種晶格匹配的六結太陽能電池，其特征在于：所述AlAs/AlGaAsDBR的反射波長為900～1100nm，該AlAs/AlGaAsDBR中AlAs/AlGaAs組合層的對數為10～30對。

5.根據權利要求1所述的一種晶格匹配的六結太陽能電池，其特征在于：所述Ga_1-3yIn_3yN_yAs_1-y子電池中Ga_1-3yIn_3yN_yAs_1-y材料的光學帶隙為1.10～1.15eV。

6.根據權利要求1所述的一種晶格匹配的六結太陽能電池，其特征在于：所述GaInAs子電池中GaInAs材料的光學帶隙為1.4eV。

7.根據權利要求1所述的一種晶格匹配的六結太陽能電池，其特征在于：所述AlGaInAs子電池中AlGaInAs材料的光學帶隙為1.70～1.75eV。

8.根據權利要求1所述的一種晶格匹配的六結太陽能電池，其特征在于：所述AlGaInP子電池中AlGaInP材料的光學帶隙為2.10～2.15eV。