[實(shí)用新型]一種小型封裝功率MOS并聯(lián)安裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520836620.9
• 申請(qǐng)日: 2015-10-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN205092241U
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周勇
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 九江歷源整流設(shè)備有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L25/16
• 分類(lèi)號(hào): H01L25/16
• 代理公司: 廈門(mén)市精誠(chéng)新創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35218
• 代理人: 何家富

1.一種小型封裝功率MOS并聯(lián)安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括中空PCB板（3），所述中空PCB板（3）的中部具有多個(gè)中空槽，中空槽的兩邊設(shè)有安裝在中空PCB板表層上的A組mos管（1）和B組mos管（2）；所述中空PCB板的底層具有多個(gè)銅箔區(qū)，所述銅箔區(qū)上安裝有漏極銅排（5）、B源級(jí)銅排（6）、導(dǎo)熱絕緣板（7），所述漏極銅排（5）置入在所述中空槽內(nèi)，所述A組mos管（1）和B組mos管（2）的漏極焊接與漏極銅排（5）的兩翼。

2.如權(quán)利要求1所述的小型封裝功率MOS并聯(lián)安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的A源級(jí)銅排（4）、漏極銅排（5）和B源級(jí)銅排（6）表面設(shè)有鍍錫層。

3.如權(quán)利要求1所述的小型封裝功率MOS并聯(lián)安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述漏極銅排（5）的下表面設(shè)有導(dǎo)熱絕緣板（7）。