[實(shí)用新型]一種空間硅太陽電池的減反射膜有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201520802342.5 | 申請(qǐng)日: | 2015-10-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN205122595U | 公開(公告)日: | 2016-03-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 司曉東;徐娟;雷偉;杜文龍;王玟藶;盧曉飛;楊文華;周桃;劉永生 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海電力學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0216 | 分類號(hào): | H01L31/0216;B82B1/00 |
| 代理公司: | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人: | 吳寶根 |
| 地址: | 200090 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 空間 太陽電池 減反射膜 | ||
1.一種空間硅太陽電池的減反射膜,至少由兩層減反射膜組成,其特征在于,其中至少有一層采用折射率低于1.4的納米材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述空間硅太陽電池的減反射膜,其特征在于,所述減反射膜為雙層,第一層為納米材料,折射率n1為1.1≤n1≤1.3,膜厚度d1為110nm,第二層為常規(guī)折射率材料,折射率n2為2.3,膜厚度d2為64nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述空間硅太陽電池的減反射膜,其特征在于,所述減反射膜為三層,第一層為納米材料,折射率n1為1.3,膜厚度d1為66nm,第二層為常規(guī)折射率材料,折射率n2為1.46,膜厚度d2為50nm,第三層為常規(guī)折射率材料,折射率n3為2.3,膜厚度d3為60nm。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





