[實用新型]一種復合背面電極太陽能電池有效
| 申請號: | 201520794584.4 | 申請日: | 2015-10-14 |
| 公開(公告)號: | CN205122597U | 公開(公告)日: | 2016-03-30 |
| 發明(設計)人: | 石強;秦崇德;方結彬;黃玉平;何達能;陳剛 | 申請(專利權)人: | 廣東愛康太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 佛山市中迪知識產權代理事務所(普通合伙) 44283 | 代理人: | 張伶俐 |
| 地址: | 528100 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 復合 背面 電極 太陽能電池 | ||
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池技術領域,尤其涉及一種復合背面電極太陽能電池。
背景技術
太陽能電池分為晶體硅太陽能電池和薄膜太陽能電池,目前晶體硅太陽能電池是市場的主流,薄膜太陽能電池的份額不到10%。晶體硅太陽能電池分為多晶硅太陽能電池和單晶硅太陽能電池。現有的晶體硅太陽能電池的組成由下往上依次包括:Ag背電極1′、Al背電場2′、P型硅3′、N+層4′、減反膜5′和Ag正電極6′(如圖1所示),Al背電場2′、P型硅3′、N+層4′和減反膜5′為層疊式設置。背面電極由Ag背電極1′和Al背電場2′組成,Ag背電極1′的作用是保證組件制造時焊帶和Ag背電極1′的焊接拉力;Al背電場2′一方面是導電,另一方面在太陽能電池背面形成p+層,具有背面鈍化的效果,可以提升電池的轉換效率。
目前正面電極和背面電極主要是通過絲網印刷金屬漿料的方法制備而成,由于金屬漿料是流體,延展性很強,一旦金屬漿料在印刷過程中污染硅片的邊緣,不但會影響電池的外觀,還會導致太陽能電池的漏電流增加,影響太陽能電池的品質。因此,目前的太陽能電池Al背場離硅片邊緣的距離在0.3-1.0mm,以防止Al漿延展到硅片的邊緣,這樣就會使P型硅3′四周邊緣區域裸露(如圖1所示),導致太陽能電池的鈍化效率不理想,串聯電阻不夠低,對太陽能電池的轉換效率的提升具有很大的阻力。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題在于,提供一種復合背面電極太陽能電池,能提高太陽能電池的背面鈍化效果,降低太陽能電池的串聯電阻,大大提升電池的轉換效率。
為了解決上述技術問題,本實用新型提供了一種復合背面電極太陽能電池,從下往上依次包括Ag背電極、Al背電場、P型硅、N+層、SiNx減反膜和Ag正電極,Al背電場、P型硅、N+層和減反膜為層疊式設置,所述Al背電場尺寸小于太陽能電池邊緣尺寸,太陽能電池背面沉積Ag薄膜或Al薄膜,Ag薄膜覆蓋所述Ag背電極和Al背電場和P型硅四周邊緣區域;Al薄膜覆蓋所述Al背電場和P型硅四周邊緣區域。
作為上述方案的改進,所述P型硅四周邊緣區域的寬度為0.3-1.0mm。
作為上述方案的改進,所述Ag薄膜的厚度為200-1000nm,電阻率為1.2~1.5×10-6Ω.cm。
作為上述方案的改進,所述Al薄膜的厚度為200-1000nm,電阻率為2.2~2.6×10-6Ω.cm。
作為上述方案的改進,所述Ag薄膜和Al薄膜為采用磁控濺射的方法制備得到的薄膜。
作為上述方案的改進,所述Ag背電極、Al背電場和Ag正電極為采用絲網印刷的方法制備而成。
與現有技術相比,本實用新型具有如下有益效果:Ag薄膜或Al薄膜沉積在太陽能電池的背面,一方面可以將絲網印刷制備的背面電極的孔洞進行填充,降低電極電阻;另一方面,在Al背場和P型硅四周邊緣區域沉積金屬薄膜,其中Al薄膜不但可以降低電極電阻,還可以提高背面鈍化效果,Ag薄膜可以降低電極電阻,還具有制備簡單,成本低,可以大大提高太陽能電池的轉換效率的優點。
附圖說明
圖1是現有技術的太陽能電池正面電極結構示意圖;
圖2是本實用新型的一種復合背面電極太陽能電池背面沉積Ag薄膜的結構示意圖;
圖3是本實用新型的一種復合背面電極太陽能電池背面沉積Al薄膜的結構示意圖。
具體實施方式
為使本實用新型的目的、技術方案和優點更加清楚,下面將結合附圖對本實用新型作進一步地詳細描述。
如圖2、圖3所示,一種復合背面電極太陽能電池,從下往上依次包括Ag背電極1、Al背電場2、P型硅3、N+層4、SiNx減反膜5和Ag正電極6,Al背電場2、P型硅3、N+層4和減反膜5為層疊式設置,Al背電場2尺寸小于太陽能電池邊緣尺寸,太陽能電池背面沉積Ag薄膜7或Al薄膜8,Ag薄膜7覆蓋所述Ag背電極1和Al背電場2和P型硅3四周邊緣區域;Al薄膜8覆蓋所述Al背電場2和P型硅3四周邊緣區域。
P型硅四周邊緣區域的寬度為0.3-1.0mm,具體的P型硅四周邊緣區域的寬度為0.3、0.5、0.7和1.05,但不限于此。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





