[實用新型]用于晶圓盒的氣體傳遞裝置有效
| 申請號: | 201520778228.3 | 申請日: | 2015-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN205122549U | 公開(公告)日: | 2016-03-30 |
| 發明(設計)人: | 楊豐文 | 申請(專利權)人: | 楊豐文 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王剛 |
| 地址: | 中國臺灣高*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 晶圓盒 氣體 傳遞 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種用于晶圓盒的氣體傳遞裝置。
背景技術
現有晶圓盒用以放置多個晶圓,且可于半導體制造過程間傳輸。現有晶圓盒可為前開式標準盒(FrontOpeningUnifiedPod,FOUP)。在現有晶圓盒內必須維持潔凈度,以避免在現有晶圓盒內的晶圓受到污染。
實用新型內容
為了解決上述問題,本實用新型的目的在于提供一種用于晶圓盒的氣體傳遞裝置。
為達上述目的,本實用新型的主要技術方案為:在一實施例中,該氣體傳遞裝置包括一多孔性管壁、一氣體輸入口及一晶圓側。該多孔性管壁具有一中空通道。該氣體輸入口連通該中空通道,以輸入氣體至該中空通道。該晶圓側設置于該多孔性管壁的一外側面,朝向該晶圓盒內的晶圓,該晶圓側的該多孔性管壁的管壁厚度小于該多孔性管壁的其他管壁的厚度。
優選地,所述用于晶圓盒的氣體傳遞裝置還包括多個凹槽,所述凹槽設置于該晶圓側,所述凹槽間隔設置,且設置于晶圓間的空隙的相對位置。
優選地,所述凹槽為三角形、半圓形、方形或弧形。
優選地,所述多孔性管壁呈圓柱狀,該晶圓側為一平面。
優選地,所述多孔性管壁呈四邊形,該晶圓側為該四邊形的一側面。
優選地,所述中空通道為四邊形。
優選地,所述多孔性管壁呈方形,該晶圓側為該方形的一側面。
優選地,所述中空通道為圓形。
優選地,所述多孔性管壁具有一封閉端。
本實用新型的有益效果在于:利用本實用新型的氣體傳遞裝置,該晶圓側輸出的氣體大于該多孔性管壁的其他外側面,使得較多的氣體能傳遞至晶圓,有效地將該晶圓盒內的雜質或微粒(particle)排出該晶圓盒外。且在相同的輸入氣體條件下,能使較多的氣體由該晶圓側傳遞至晶圓,可提高氣體的使用效率。
附圖說明
圖1顯示本實用新型的氣體傳遞裝置應用于晶圓盒的一實施例的示意圖;
圖2顯示本實用新型的氣體傳遞裝置一實施例的立體示意圖;
圖3顯示本實用新型的氣體傳遞裝置一實施例的俯視示意圖;
圖4顯示本實用新型的氣體傳遞裝置一實施例的沿圖3的A-A剖面線的剖面示意圖;
圖5顯示本實用新型的氣體傳遞裝置一實施例的俯視示意圖;
圖6顯示本實用新型的氣體傳遞裝置一實施例的俯視示意圖。
主要部件符號說明:
10氣體傳遞裝置
11多孔性管壁
12氣體輸入口
13晶圓側
20氣體傳遞裝置
21多孔性管壁
23晶圓側
30氣體傳遞裝置
31多孔性管壁
33晶圓側
60晶圓盒
61前開口
63排氣口
71、72晶圓
111中空通道
112內側面
113外側面
114封閉端
131、132凹槽
211中空通道
213外側面
311中空通道
313外側面。
具體實施方式
圖1顯示本實用新型的氣體傳遞裝置應用于晶圓盒的一實施例的示意圖;圖2顯示本實用新型的氣體傳遞裝置一實施例的立體示意圖;圖3顯示本實用新型的氣體傳遞裝置一實施例的俯視示意圖;圖4顯示本實用新型的氣體傳遞裝置一實施例的沿圖3的A-A剖面線的剖面示意圖。配合參考圖1至圖4,在一實施例中,本實用新型的該氣體傳遞裝置10可設置于一晶圓盒60內。該晶圓盒60可為前開式標準盒(FrontOpeningUnifiedPod,FOUP)。在其他實施例中,該晶圓盒可為包覆及容置該前開式標準盒的晶圓傳遞盒。
該晶圓盒60具有一前開口61,以容置晶圓71、72于該晶圓盒60內。至少一氣體傳遞裝置10設置于該晶圓盒60的內側,在一實施例中,兩氣體傳遞裝置10分別設置于該晶圓盒60的兩內側的角落。
該氣體傳遞裝置10包括一多孔性管壁11、一氣體輸入口12及一晶圓側13。該多孔性管壁11具有一中空通道111。該多孔性管壁11還包括一內側面112及一外側面113,該內側面112形成該中空通道111,在一實施例中,該中空通道111為圓形,且該多孔性管壁11呈圓柱狀。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





