[實用新型]半導體裝置

有效

• 申請號: 201520743611.5
• 申請日: 2015-09-23
• 公開（公告）號: CN204946898U
• 公開（公告）日: 2016-01-06
• 發明（設計）人: 劉春利;K·黃;A·薩利
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L27/102
• 分類號: H01L27/102;H01L27/105
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

MOS晶體管，形成為半導體襯底上的多個晶體管單元；

所述多個晶體管單元的第一單元的體區，形成為具有寬度和長度的第一摻雜區，所述第一摻雜區具有第一導電類型；

所述第一單元的源極區，形成為所述第一摻雜區內的第二摻雜區，所述第二摻雜區具有第二導電類型；

柵極結構，與所述源極區以及所述體區的一部分相鄰地形成，所述柵極結構具有內柵極導體，所述內柵極導體連接到外柵極導體，所述外柵極導體在所述半導體襯底上并且在所述柵極結構的外部；以及

所述第一摻雜區的摻雜濃度被形成為沿著所述第一摻雜區的長度隨著距所述外柵極導體的距離的增加而增加。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述摻雜濃度隨著距所述內柵極導體和所述外柵極導體的相交處的距離增加而增加。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述MOS晶體管包括下列的一個：

平面MOS晶體管，其柵極結構的一部分與所述第一摻雜區的一部分鄰近并且在所述第一摻雜區的所述一部分上；或者

垂直MOS晶體管，其中所述半導體襯底的一部分形成所述MOS晶體管的漏極區的一部分，所述垂直MOS晶體管包括包含柵極導體的溝槽柵極結構，其中所述柵極結構延伸到所述第一摻雜區中一段距離，并且其中所述柵極結構的第一部分與所述第一摻雜區相鄰并且所述柵極結構的第二部分與所述第二摻雜區相鄰。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述多個晶體管單元中的每個晶體管單元包括體區，所述體區具有沿著所述第一摻雜區的長度隨著距所述外柵極導體的距離增加而增加的摻雜濃度。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述多個晶體管單元中的每個晶體管單元包括在所述第一摻雜區上或者延伸到所述第一摻雜區中的柵極結構。

6.一種半導體裝置，其特征在于包括：

MOS晶體管，形成在半導體襯底上；

體區；

柵極結構，沿著所述體區的長度與所述體區相鄰；以及

其中所述半導體裝置的閾值電壓具有在所述半導體裝置的內部部分處的第一值和在遠離所述內部部分的所述半導體裝置的另一部分處的第二值，其中所述第二值小于所述第一值。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一值在所述柵極結構與所述體區的內部部分相鄰的內部部分處形成，，而所述第二值在所述柵極結構與所述體區的末端部分相鄰的其它部分處形成。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述閾值電壓隨著沿著所述體區的所述長度的距離而變化。

9.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置是硅MOS晶體管，而所述硅MOS晶體管的體區在所述硅MOS晶體管的所述內部部分處具有第一摻雜濃度，和在所述硅MOS晶體管的所述另一部分處具有第二摻雜濃度，其中所述第一摻雜濃度大于所述第二摻雜濃度。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一摻雜濃度隨著距所述硅MOS晶體管的所述另一部分的距離增加而從所述第二摻雜濃度增加。

11.一種半導體裝置，其特征在于包括：

MOS晶體管，形成為半導體襯底上的多個晶體管單元，所述MOS晶體管具有MOS柵極、源極和漏極；

第一晶體管，由III系或者IV系半導體材料形成，所述第一晶體管具有第一柵極、第一源極和第一漏極；

所述MOS晶體管與所述第一晶體管按照共源共柵配置耦接，所述MOS晶體管具有MOS柵極和MOS源極；以及

電阻器或背對背二極管的一方，按照串聯配置耦接到所述MOS柵極和所述MOS源極之間。