[實用新型]一種SiC外延法裝置

有效

• 申請號: 201520723584.5
• 申請日: 2015-09-17
• 公開（公告）號: CN204991288U
• 公開（公告）日: 2016-01-20
• 發明（設計）人: 秦崇德;方結彬;石強;黃玉平;何達能;陳剛
• 申請（專利權）人: 廣東愛康太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01B13/00
• 分類號: H01B13/00;H01L31/0224
• 代理公司: 佛山市中迪知識產權代理事務所(普通合伙) 44283
• 代理人: 張伶俐

1.一種SiC外延法裝置，其特征在于：包括殼體、碳化硅粉末筒、低溫熱源裝置、底蓋、下保溫裝置、外多孔石墨筒、碳化硅籽晶、碳化硅晶體、內多孔石墨筒、上保溫裝置、頂蓋和高溫熱源裝置；所述殼體底端中心設有安裝孔，所述底蓋安裝在殼體底端安裝孔里，所述下保溫裝置安裝在底蓋的頂面上且位于殼體內，所述低溫熱源裝置安裝在下保溫裝置的頂面上且位于殼體內，所述頂蓋安裝在殼體頂端，所述上保溫裝置安裝在頂蓋的底面上且位于殼體內，所述高溫熱源裝置安裝在上保溫裝置的底面上且位于殼體內，所述內多孔石墨筒上端安裝在高溫熱源裝置底端的圓柱凸臺上，其下端安裝在低溫熱源裝置頂端的圓柱凸臺上，所述外多孔石墨筒安裝在內多孔石墨筒外圓柱面上且其下端定位在低溫熱源裝置上，所述碳化硅粉末筒在內多孔石墨筒外圓柱面上且其底面安裝在外多孔石墨筒的頂面上，所述碳化硅籽晶安裝在低溫熱源裝置頂面的中心，所述碳化硅晶體安裝在碳化硅籽晶的頂面上，低溫熱源裝置、高溫熱源裝置和內多孔石墨筒圍成的空間內充滿碳化硅蒸氣。

2.如權利要求1所述的一種SiC外延法裝置，其特征在于：所述低溫熱源裝置由進氣口、保溫外筒、加熱管、導流板、第一測溫點、出氣口、防護罩、第二測溫點、接線孔和支架組成，保溫外筒外表面底端安裝有支架，保溫外筒左端設有進氣口，導流板安裝在保溫外筒的內壁上，加熱管通過導流板安裝在保溫外筒內，保溫外筒頂端靠近右側面設有出氣口，出氣口上安裝有第一測溫點，加熱管右端安裝在防護罩內，防護罩位于保溫外筒右側，防護罩底端設有接線孔，加熱管右端設有第二測溫點。

3.如權利要求1所述的一種SiC外延法裝置，其特征在于：所述殼體內壁上設有保溫層。

4.如權利要求2所述的一種SiC外延法裝置，其特征在于：所述低溫熱源裝置的支架上設有安裝孔。