[實用新型]一種太赫茲脈寬調制器裝置有效
| 申請號： | 201520721351.1 | 申請日： | 2015-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN204945525U | 公開（公告）日： | 2016-01-06 |
| 發明（設計）人： | 申彥春;趙國忠;王佳;張新群 | 申請（專利權）人： | 首都師范大學 |
| 主分類號： | G02F1/01 | 分類號： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100048 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 赫茲 脈寬調制 裝置 | ||
1.一種太赫茲脈寬調制器裝置，其特征在于：包括太赫茲波源(1)、準直系統(2)、高阻硅片(3)、可調諧氬離子激光器(4)、太赫茲波探測器(5)、A/D轉換器(6)和計算機(7)；
所述太赫茲波源(1)依次連接準直系統(2)、高阻硅片(3)、太赫茲波探測器(5)、A/D轉換器(6)和計算機(7)；
所述可調諧氬離子激光器(4)與太赫茲波探測器(5)并接在高阻硅片(3)和A/D轉換器(6)之間。
2.根據權利要求1所述的一種太赫茲脈寬調制器裝置，其特征在于：所述的太赫茲波源(1)為返波振蕩器、量子級聯激光器或co2激光抽運連續波太赫茲輻射源。
3.根據權利要求1所述的一種太赫茲脈寬調制器裝置，其特征在于：所述的太赫茲波源(1)工作頻率為0.1THz-8THz。
4.根據權利要求1所述的一種太赫茲脈寬調制器裝置，其特征在于：所述的準直系統(2)為開普勒型或伽利略型準直系統。
5.根據權利要求1所述的一種太赫茲脈寬調制器裝置，其特征在于：所述的高阻硅片(3)厚度h＝400μm，半徑r＝25mm，電阻率10000Ωcm。
6.根據權利要求1所述的一種太赫茲脈寬調制器裝置，其特征在于：所述的可調諧氬離子激光器(4)工作波長514nm，光束直徑0.75mm，功率2W。
7.根據權利要求1所述的一種太赫茲脈寬調制器裝置，其特征在于：所述的太赫茲波探測器(5)為焦平面陣列探測器。
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