[實用新型]一種應用于電路中的ESD防護電路

有效

• 申請號: 201520710426.6
• 申請日: 2015-09-14
• 公開（公告）號: CN204967250U
• 公開（公告）日: 2016-01-13
• 發明（設計）人: 凌斌
• 申請（專利權）人: 惠州市康冠科技有限公司
• 主分類號: H02H9/02
• 分類號: H02H9/02;H02H9/04
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 蔣劍明

技術領域

本實用新型涉及ESD防護裝置,具體是指一種應用于電路中的ESD防護電路。

背景技術

隨著電子技術的發展，電子設備的應用越來越廣泛，不僅是高技術領域如航天航空設備，也滲透到了人們生活的方方面面，如家居電器、通信設備、醫療設備等，ESD隨處不在，ESD問題對設備的正常工作一直是一個嚴重威脅，如何防護ESD，保證設備的正常工作，是一個長期困擾工程師的難題。ESD：Electro-Staticdischarge，即靜電放電。靜電在生活中非常常見，特別是在電子產品生產，運輸，儲存及使用過程中很容易出現，當靜電積累(EOS)到一定程度，會產生一定程度的能量，該能量會對電子設備造成不可逆的損壞。

為了防止靜電放電造成的損傷，目前解決靜電干擾的方法有多種，比較常見的一種是在器件上增加放電管等器件，這種方式雖然可以有效的緩解IC承受的靜電能力，但采用放電管成本昂貴；另一種是常見的方式是對生產及運輸環境進行靜電清理工作，但電子產品在生產，儲存及使用時隨時都能產生ESD的積累，這樣就需要在生產及運輸多個環節安排人力進行靜電清理防護，造成較高的人工成本及設備成本。

實用新型內容

本實用新型的目的是克服現有技術中的不足之處，提供一種減少ESD清理頻率及減少人工成本的應用于電路中的ESD防護電路。

本實用新型的目的是通過以下技術方案來實現的：

一種應用于電路中的ESD防護電路，用于對被控芯片以及主控芯片進行靜電放電保護，其特征在于：包括π型濾波電路，所述π型濾波電路連接在主控芯片輸入輸出端子與被控芯片的公共端子之間，所述π型濾波電路包括若干個依次串聯的限流電阻R1至Rn，所述n為大于1的自然數，所述限流電阻R1、限流電阻Rn上并聯有分壓電容，所述分壓電容至少包括2個相互串聯的第一電容和第二電容，所述第一電容和第二電容的公共端接地。

優選的，所述n為大于或等于4的偶數。

本實用新型相比現有技術具有以下優點及有益效果：

1、通過在控制芯片之間串接π型濾波電路，當靜電或其他干擾信號串入環路時，可通過π型濾波電路進行濾除及通過RC方式吸收，在主控芯片、被控芯片自身能承受一定的ESD防護能力的基礎上，再加入本電路后可以大大提高芯片的抗干擾能力，提高了產品的靜電防護等級，保障產品在生產與使用過程中不易損害，從而可以減少ESD清理頻率及減少人工成本。

2、本實用新型從傳播路徑上濾除ESD干擾，可以解決電子產品在不同環境中的ESD防護適應能力；并采用價格低廉的原材料，減少對產品的成本影響。

3、本實用新型除了能解決ESD防護問題外，還能過濾因電磁輻射等干擾信號對IC的干擾。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合實施例及附圖對本實用新型作進一步詳細的描述，但本實用新型的實施方式不限于此。

實施例

如圖1，一種應用于電路中的ESD防護電路，用于對被控芯片以及主控芯片進行靜電放電保護，其特征在于：包括π型濾波電路，所述π型濾波電路連接在主控芯片輸入輸出端子與被控芯片的公共端子之間，所述π型濾波電路包括若干個依次串聯的限流電阻R1至Rn，所述n為大于1的自然數，所述限流電阻R1、限流電阻Rn上并聯有分壓電容，所述分壓電容至少包括2個相互串聯的第一電容和第二電容，所述第一電容和第二電容的公共端接地。

本實施例中，所述n為大于或等于4的偶數，所述限流電阻R1至R4的電阻值均相同。作為一種優選方式，所述n等于4，這樣可以確保ESD信號由限流電阻R2與限流電阻R3中間的電路進入，使電路中阻性器件與容性器件產生限流及分壓作用。

由于主控芯片向被控芯片傳輸信號時，當干擾信號進入傳輸電路后易引起被控芯片的誤判斷，引起整個電路的震蕩，特別是當靜電信號進入傳輸電路后，甚至可能擊穿被控芯片以及主控芯片。本實用新型在控制芯片之間串接兩組C-R-C–R的π型濾波電路，當靜電或其他干擾信號串入環路時，可通過π型濾波電路進行濾除及通過RC方式吸收，在主控芯片、被控芯片自身能承受一定的ESD防護能力的基礎上，再加入本電路后可以大大提高芯片的抗干擾能力，提高了產品的靜電防護等級，保障產品在生產與使用過程中不易損害，從而可以減少ESD清理頻率及減少人工成本。其中，具體抗ESD能力主要與電阻阻抗、電容的有效電阻及容量有關。電容ESR越小，其瞬態吸收能力越高。此處一般使用低ESR小容量的電容。

上述實施例為本實用新型較佳的實施方式，但本實用新型的實施方式并不受上述實施例的限制，其他的任何未背離本實用新型的精神實質與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化，均應為等效的置換方式，都包含在本實用新型的保護范圍之內。