[實用新型]單刀單擲射頻開關及其構成的單刀雙擲射頻開關和單刀多擲射頻開關

有效

• 申請號: 201520593175.8
• 申請日: 2015-08-07
• 公開（公告）號: CN205017288U
• 公開（公告）日: 2016-02-03
• 發明（設計）人: 趙奐
• 申請（專利權）人: 康希通信科技（上海）有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種單刀單擲射頻開關，其特征在于，包括：

半導體開關器件(T)，其第一端通過第一電容(C1)連接該單刀單擲射頻開關第一端口(P1)并通過第一電阻(R1)連接第一狀態控制信號輸入端(S1)，其第二端通過第二電阻(R2)連接第二狀態控制信號輸入端(S2)，其第三端通過第四電阻(R4)接地，并通過串聯的第一二極管(D1)、第二二極管(D2)和第五電阻(R5)接地，其第四端通過第二電容(C2)連接該單刀單擲射頻開關第二端口(P2)并通過第三電阻(R3)連接第三狀態控制信號輸入端(S3)；

其中，第六電阻(R6)一端連接于第一二極管(D1)和第二二極管(D2)之間，第六電阻(R6)另一端接電源電壓(VDD)，第一二極管(D1)負極連接第二二極管(D2)負極；

第一電感(L1)跨接于第一電容(C1)、半導體開關器件(T)和第二電容(C2)所組成串聯電路的兩端。

2.如權利要求1所述的單刀單擲射頻開關，其特征在于：還包括跨接于半導體開關器件(T)第一端和第二端的第二電感(L2)。

3.如權利要求2所述的單刀單擲射頻開關，其特征在于：第一電感(L1)在該射頻開關關斷狀態時參與諧振，第二電感(L2)在該射頻開關導通狀態時參與阻抗變換。

4.如權利要求1所述的單刀單擲射頻開關，其特征在于：所述半導體開關器件(T)為:PMOS、NMOS、HEMT或LDMOS。

5.一種單刀雙擲射頻開關，其特征在于,包括：

一發射臂，其第一端連接該單刀雙擲射頻開關的天線端(P4)，其第二端連接該單刀雙擲射頻開關的發射端(P5)；

一接收臂，其第一端連接該單刀雙擲射頻開關的接收端(P3)，其第二端連接該單刀雙擲射頻開關的天線端(P4)；

所述發射臂包括：權利要求1所述的單刀單擲射頻開關，該單刀單擲射頻開關第一端口(P1)作為該發射臂的第一端，該單刀單擲射頻開關第二端口(P2)作為該發射臂的第二端；

所述接收臂包括：權利要求2所述的單刀單擲射頻開關，該單刀單擲射頻開關第一端口(P1)通過第三電容(C3)連接低噪聲放大器(B)，低噪聲放大器(B)的輸出端作為接收臂的第一端，該單刀單擲射頻開關第二端口(P2)作為接收臂的第二端。

6.如權利要求5所述的單刀雙擲射頻開關，其特征在于：接收臂的第三電容(C3)和組成該接收臂的單刀單擲射頻開關之間具有ESD器件接入點(E)，發射臂的第二端具有ESD器件接入點(E)，該單刀雙擲射頻開關的天線端(P4)具有ESD器件接入點(E)，上述各ESD器件接入點(E)中任一處連接有ESD保護器件。

7.如權利要求6所述的單刀雙擲射頻開關，其特征在于：所述ESD保護器件是ESD二極管、ESD三極管或接地電感。

8.如權利要求6所述的單刀雙擲射頻開關，其特征在于：接收臂還包括并聯開關(SW)，并聯開關(SW)一端連接在低噪聲放大器(B)和第三電容(C3)之間，另一端接地，并聯開關(SW)為:PMOS、NMOS、HEMT或LDMOS。

9.一種單刀多擲射頻開關，其特征在于,包括：

至少兩個權利要求5所述接收臂和一個權利要求5所述發射臂；

每個接收臂的第一端連接該單刀多擲射頻開關的接收端(P3)，每個接收臂的第二端連接該單刀多擲射頻開關的天線端(P4)；

每個發射臂的第一端連接該單刀多擲射頻開關的天線端(P4)，每個發射臂的第二端連接該單刀多擲射頻開關的發射端(P5)。

10.如權利要求9所述的單刀多擲射頻開關，其特征在于：任一接收臂的第三電容(C3)和組成該接收臂的單刀單擲射頻開關之間具有ESD器件接入點(E)，任一發射臂的第二端具有ESD器件接入點(E)，該單刀多擲射頻開關的天線端(P4)具有ESD器件接入點(E)，上述各ESD器件接入點(E)中任一處連接有ESD保護器件。

11.如權利要求10所述的單刀多擲射頻開關，其特征在于：所述ESD保護器件是ESD二極管、ESD三極管或接地電感。

12.如權利要求10所述的單刀多擲射頻開關，其特征在于：每個接收臂還包括并聯開關(SW)，并聯開關(SW)一端連接在低噪聲放大器(B)和第三電容(C3)之間，另一端接地，并聯開關(SW)為:PMOS、NMOS、HEMT或LDMOS。