[實用新型]低局放值的單匝結構互感器有效
| 申請號: | 201520586163.2 | 申請日: | 2015-08-06 |
| 公開(公告)號: | CN204927009U | 公開(公告)日: | 2015-12-30 |
| 發明(設計)人: | 陳耀剛;婁軍峰;劉軍超;張偉 | 申請(專利權)人: | 河南森源電氣股份有限公司 |
| 主分類號: | H01F38/20 | 分類號: | H01F38/20;H01F27/29;H01F27/28 |
| 代理公司: | 南京君陶專利商標代理有限公司 32215 | 代理人: | 沈根水 |
| 地址: | 461500 河*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 低局放值 結構 互感器 | ||
技術領域
本實用新型涉及的是一種低局放值的單匝結構互感器,屬于互感器技術領域。
背景技術
在互感器生產和使用過程中,局放的好壞不僅反應了互感器內在品質的優劣,更牽涉到互感器的使用壽命,所以互感器局放問題一直是互感器生產廠家和用戶比較關注的問題。隨著技術的發展,不少互感器都能夠達到較低的局放值,但是仍有一些結構的互感器局放值存在一定的問題,如一些單匝結構的互感器在進行局放高點試驗時局放值偏高,不能夠滿足用戶要求,有時甚至會因為不能滿足國標而報廢,不僅浪費了材料,同時使產品的交貨期也得不到保證。
現有單匝互感器結構,該種結構僅對互感器一次端子(由P1端子3、P2端子7構成)和導電桿4構成的一次繞組做電場均勻包覆,P1出線端子3和P2出線端子7之間未做任何屏蔽或電場處理措施,在高電壓作用下,一次繞組將會出現電場分布不均,尤其在兩個一次出線端子之間電場隨著介質的突變出現較大的畸變,同時也存在尖端等不良情況,在一次端子施加電壓時,一次端子附近將會因電場的不均勻和電場的畸變出現電極間放電、沿面放電、尖端放電等多種放電情況。在測試電壓狀態下測量其局放值時,其視在放電量較大,對互感器進行多次處理后,排除表面等其他因素時仍不能降低其局放值,如圖3所示。
發明內容
本實用新型提出的是一種低局放值的單匝結構互感器,其目的旨在克服現有技術所存在的上述缺陷,提高局放的質量,滿足用戶要求。
本實用新型的技術解決方案:低局放值的單匝結構互感器,包括半導體皺紋紙2、P1端子3、導電桿4、互感器線圈6、P2端子7,其特征是一次端子的下方設有導電桿4,電桿4的內側設有C形半導體紙板5;C形半導體紙板5通過半導體皺紋紙2固定在導電桿4上;互感器線圈6套入互感器一次繞組中。
本實用新型的優點:使整個互感器一次繞組在高電壓下形成一個均勻的電場,互感器器身各部位電場場強分布均勻,場強過度平緩,場強無畸變情況。在測試電壓狀態下測量其局放值時,其視在放電量較小,在高電壓狀態下能減小互感器內部的局放值。
附圖說明
圖1是半導體紙板簡要制作圖;
圖2是低局放值的單匝結構互感器的結構示意圖;
圖3原有單匝互感器結構示意圖。
圖中的1是硬絕緣紙板、2是半導體皺紋紙、3是P1端子、4是導電桿、5是C型半導體紙板、6是互感器線圈、7是P2端子。
具體實施方式
如附圖所示,低局放值的單匝結構互感器,包括半導體皺紋紙2、P1端子3、導電桿4、互感器線圈6、P2端子7,其特征是一次端子的下方設有導電桿4,電桿4的內側設有C形半導體紙板5;C形半導體紙板5通過半導體皺紋紙2固定在導電桿4上;互感器線圈6套入互感器一次繞組中。
所述的一次端子由P1出線端子3和P2出線端子7構成;
所述的C形半導體紙板5是由硬絕緣紙板1、半導體皺紋紙2纏繞而成,所述的硬絕緣紙板1的寬度與一次端子寬度一致;
所述的P1端子3和P2端子7與導電桿4焊接;
所述的互感器一次繞組由P1端子3、P2端子7、導電桿4構成;
低局放值的單匝結構互感器的制作方法,包括如下步驟:
(1)制作C型半導體紙板5,包括,
1)先將半導體皺紋紙2以半疊一層的纏繞方式纏繞在硬絕緣紙板1上;
2)纏繞時保證整個硬絕緣紙板1被半導體皺紋紙2覆蓋;
3)硬絕緣紙板1的寬度與一次端子寬度一致,制作完成后待用,一次端子包括P1出線端子和P2出線端子,
4)將互感器P1端子3和P2端子7與導電桿4進行焊接,完成焊接后將互感器線圈6套入互感器一次繞組中,互感器一次繞組由P1端子3、P2端子7、導電桿4構成;如圖1所示;
(2)先用半導體皺紋紙2對互感器一次端子和導電桿4進行整體包覆;
(3)將制作完成后的C型半導體紙板5放置互感器P1端子3和P2端子7的背面;
(4)將C型半導體紙板5固定在P1端子3和P2端子7的背面;
(5)用半導體皺紋紙2將C型半導體紙板5與互感器的一次繞組再做整體包覆;
(6)完成上述步驟后,C型半導體紙板5與互感器一次繞組在高電壓下形成一個均勻的電場,互感器器身各部位電場場強分布均勻,場強過度平緩,同時場強無畸變情況。在測試電壓狀態下測量其局放值時,其視在放電量較小,如圖2所示。
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