[實用新型]一種MOSFET芯片封裝結構

有效

• 申請號: 201520531898.5
• 申請日: 2015-07-21
• 公開（公告）號: CN204857708U
• 公開（公告）日: 2015-12-09
• 發明（設計）人: 曹凱;謝皆雷;羅立輝;吳超
• 申請（專利權）人: 寧波芯健半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/488
• 代理公司: 余姚德盛專利代理事務所(普通合伙) 33239
• 代理人: 胡小永

1.一種MOSFET芯片封裝結構，封裝結構包括單顆MOSFET芯片(100)，載板(500)，其特征在于，所述單顆MOSFET芯片(100)正面通過其上的凸點(400)與載板(500)上的載板焊盤(501)進行連接，且所述單顆MOSFET芯片(100)背面通過導電層(700)與所述載板焊盤(501)進行連接，且，導電層(700)的一部分通過芯片(100)上的通孔(701)可連接到載板焊盤(501)中，并在單顆MOSFET芯片(100)和載板(500)之間具有填充物(600)，通孔(701)通過填充物(600)。

2.如權利要求1所述的MOSFET芯片封裝結構，其特征在于，所述單顆MOSFET芯片(100)上的所述凸點(400)包括單一結構或多層結構，成分包括單一金屬或金屬合金。

3.如權利要求1所述的MOSFET芯片封裝結構，其特征在于，所述載板(500)為基板、PCB板或者金屬框架。

4.如權利要求1所述的MOSFET芯片封裝結構，其特征在于，所述MOSFET芯片的電極面還包括一層絕緣保護層(200)。