[實用新型]一種金屬蒸發設備有效
| 申請號： | 201520528517.8 | 申請日： | 2015-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN204857665U | 公開（公告）日： | 2015-12-09 |
| 發明（設計）人： | 王丕龍;王新強;李向坤 | 申請（專利權）人： | 青島佳恩半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/203 | 分類號： | H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246 | 代理人： | 龔燮英 |
| 地址： | 266000 山東省青*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬 蒸發 設備 | ||
【權利要求書】：
1.一種金屬蒸發設備，包括密封艙，其特征在于：所述密封艙的內底部中間安裝有蒸發臺，內底部外圍安裝有加熱燈絲，內頂部安裝有公轉架；所述公轉架向外放射安裝有自轉架，自轉架的活動端連接有行星盤，行星盤上設有多個圓形通孔，圓形通孔頂部安裝有蓋板，圓形通孔底部安裝有硅片。
2.如權利要求1所述的一種金屬蒸發設備，其特征在于：所述自轉架和行星盤的數量均為3個。
3.如權利要求1所述的一種金屬蒸發設備，其特征在于：所述行星盤與自轉架形成的角度為45度。
4.如權利要求1所述的一種金屬蒸發設備，其特征在于：所述加熱燈絲的最高加熱溫度為380攝氏度。
5.如權利要求1所述的一種金屬蒸發設備，其特征在于：所述密封艙內安裝有溫度測試儀，所述溫度測試儀的測試溫度范圍為0-400攝氏度。
6.如權利要求1所述的一種金屬蒸發設備，其特征在于：所述硅片通過圓形通孔底部周圍的4個旋轉卡爪支撐在行星盤上。
7.如權利要求1所述的一種金屬蒸發設備，其特征在于：所述蓋板中部安裝有磁性金屬塊，硅片中部粘附有磁鐵。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
