[實用新型]一種磁控濺射靶槍

有效

• 申請號: 201520477129.1
• 申請日: 2015-07-04
• 公開（公告）號: CN204779787U
• 公開（公告）日: 2015-11-18
• 發明（設計）人: 王振中
• 申請（專利權）人: 廈門烯成新材料科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及到磁控濺射鍍膜的技術領域，特別涉及到一種磁控濺射靶槍。

背景技術

隨著人機交互液晶顯示設備和觸控面板設備技術的不斷發展，對液晶顯示設備和觸控面板設備的制造生產的效率以及工藝良率提出了更高的要求，特別是對薄膜沉積工藝的要求也越來越高。

磁控濺射鍍膜是目前常采用的一種薄膜沉積的方法，可進行金屬薄膜或者金屬氧化物透明電極薄膜的沉積。濺射鍍膜是指電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。而磁控濺射鍍膜是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向，可以提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。磁控濺射的特點是成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現大面積鍍膜。

而在磁控濺射鍍膜系統中，磁控濺射靶槍是其核心部件，磁控濺射靶槍的結構和長期運轉時的穩定性對濺射速率、靶材利用率以及薄膜沉積速率和成膜效果都起到關鍵性的作用。磁控濺射靶槍其在結構上一般分為平面磁控濺射靶和圓柱磁控濺射靶。但不管是平面磁控濺射靶和圓柱磁控濺射靶一般都需要在磁控濺射靶上形成磁場方向一致的封閉的環狀磁靶用以增強等離子放電以及氣相沉積。然而這種環狀的磁靶會使被電離的離子約束在該環形磁靶內轟擊靶材從而使靶材的離子飛出沉積在陽極上，這樣只能使位于所述環形磁靶內的靶材得到利用，而其他的部位的靶材便被浪費。再者環形磁靶在高速運轉時會產生大量的熱量，如果沒有及時散發出去，很可能會毀壞正在工作的磁靶，影響其運轉的穩定性，導致濺射不均勻，影響成膜質量，不利于生產效率和薄膜良率的提高。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種磁控濺射靶槍，具有高的靶材利用率，濺射均勻，成膜質量高。

為此，本實用新型采用以下技術方案：

一種磁控濺射靶槍，所述磁控濺射靶槍為圓柱形磁控濺射靶槍，包括基座、磁靶和靶材，所述磁靶固定于基座之上，所述靶材通過旋轉軸固定在磁靶上；所述磁靶包括磁芯和環狀磁鐵座，所述環狀磁鐵座上設有均勻排列的磁鐵塊，形成中心-外環的環狀磁靶設計；所述磁芯和環狀磁鐵之間設有冷卻裝置，所述冷卻裝置包括上下兩個無氧銅水冷以及位于上下兩個無氧銅水冷之間的導熱板。

優選的，所述旋轉軸位于磁芯之上。

優選的，所述磁控濺射靶槍還包括絕緣座和真空電極，所述絕緣座和真空電極位于基座下面。

優選的，所述絕緣座上設有銅管電極引入，引入電極與真空電極相連接。

優選的，所述絕緣座為鐵氟龍絕緣座。

優選的，所述導熱板為氮化鋁陶瓷導熱板。

優選的，所述磁控濺射靶槍還包括外殼。

優選的，所述基座的材料為430不銹鋼。

本實用新型采用以上技術方案，采用獨特中心-外環的環狀磁靶設計，使磁場全面覆蓋靶材，提高靶材的利用率；同時采用上下兩個無氧銅水冷之間設置導熱板形成冷卻裝置，能夠及時有效的將磁靶運轉過程中產生的熱量散發出去，保證磁靶長期運轉的穩定性，以達到濺射均勻，沉積得到質量優良的薄膜的目的。

附圖說明

圖1為本實用新型磁控濺射靶槍的結構外部示意圖。

圖2為本實用新型磁控濺射靶槍的結構剖視示意圖。

圖3為本實用新型磁控濺射靶槍的磁靶部分的斷面示意圖。

具體實施方式

為了使本實用新型的目的、特征和優點更加的清晰，以下結合附圖及實施例，對本實用新型的具體實施方式做出更為詳細的說明，在下面的描述中，闡述了很多具體的細節以便于充分的理解本實用新型，但是本實用新型能夠以很多不同于描述的其他方式來實施。因此，本實用新型不受以下公開的具體實施的限制。

一種磁控濺射靶槍，如圖1、圖2、圖3所示，所述磁控濺射靶槍為圓柱形磁控濺射靶槍，包括基座1、磁靶2和靶材3，所述磁靶2固定于基座1之上，所述靶材3通過旋轉軸4固定在磁靶2上；所述磁靶2包括磁芯21和環狀磁鐵座22，所述環狀磁鐵座22上設有均勻排列的磁鐵塊23，形成中心-外環的環狀磁靶設計；所述磁芯21和環狀磁鐵座22之間設有冷卻裝置5，所述冷卻裝置5包括上下兩個無氧銅水冷51以及位于上下兩個無氧銅水冷51之間的導熱板52。

其中，所述旋轉軸4位于磁芯21之上。

其中，所述磁控濺射靶槍還包括絕緣座6和真空電極7，所述絕緣座6和真空電極7位于基座1下面。