[實用新型]LED外延結構有效
| 申請號： | 201520455987.6 | 申請日： | 2015-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN204809247U | 公開（公告）日： | 2015-11-25 |
| 發明（設計）人： | 馮猛;陳立人;劉恒山 | 申請（專利權）人： | 聚燦光電科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 楊林潔 |
| 地址： | 215123 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 外延 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種LED外延結構，其特征在于，所述LED外延結構從下向上依次包括：
襯底，N型GaN層，InGaN/GaN量子阱層，電子阻擋層，P型GaN層，接觸層；所述P型GaN層和所述接觸層之間還生長有空穴擴展層。
2.根據權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，所述空穴擴展層為AlxGa(1-x)N層。
3.根據權利要求2所述的LED外延結構，其特征在于，所述AlxGa(1-x)N層為非故意摻雜的AlxGa(1-x)N層。
4.根據權利要求2所述的LED外延結構，其特征在于，所述AlxGa(1-x)N層中x的取值范圍為0.05~0.20。
5.根據權利要求4所述的LED外延結構，其特征在于，所述AlxGa(1-x)N層中x的取值范圍為0.08~0.15。
6.根據權利要求2所述的LED外延結構，其特征在于，所述AlxGa(1-x)N層的厚度范圍為10~40nm。
7.根據權利要求6所述的LED外延結構，其特征在于，所述AlxGa(1-x)N層的厚度范圍為20~30nm。
8.根據權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，所述襯底及所述N型GaN層之間由下而上還依次包括緩沖層及非故意摻雜GaN層。
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