[實用新型]一種柔性非晶硅太陽能電池有效
| 申請號: | 201520452539.0 | 申請日: | 2015-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN204792822U | 公開(公告)日: | 2015-11-18 |
| 發明(設計)人: | 邵明;佘金榮;戴國清 | 申請(專利權)人: | 莆田市威特電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/0445;H01L31/0352;H01L31/075 |
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| 搜索關鍵詞: | 一種 柔性 非晶硅 太陽能電池 | ||
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池技術領域,更具體地說,特別涉及一種柔性非晶硅太陽能電池。
背景技術
非晶硅薄膜太陽能電池是新一代薄膜電池產業化技術中的姣姣者,它以轉換效率高、穩定性好、成本低廉等主要特點見長,極有可能成為光伏技術中首先實現電網等價點的主流技術。
薄膜太陽能電池按襯底分為硬襯底和柔性襯底兩大類。其中,柔性襯底太陽能電池是指在柔性材料(如不銹鋼、聚酯膜)上制作的電池,與平板式晶體硅、玻璃襯底的非晶硅等硬襯底電池相比,其最大的特點是重量輕、可折疊和不易破碎。
由于不銹鋼薄膜成本高、分量重以及具有導電性等缺點,其應用得到限制,而輕型聚合物膜作為一種比較理想的襯底材料就應運而生了。它不導電,可以用現成的激光切割工藝制造組件,更不需要將薄膜電池制成后再切開。聚合物襯底如聚酰亞胺薄膜具有耐高低溫、耐酸鹼、耐溶劑、電氣絕緣(H級)、防輻射、適合真空制膜工藝、及厚度薄而拉力好等性能,是柔性太陽能電池的一種優良選擇。現有技術中的非晶硅太陽能電池在結構上包括襯底、正電極層、光電轉換層和負電極層,但是現有的太陽能電池發電效率較低且不可折疊。因此,有必要對現有的非晶硅太陽能電池的結構進行改進。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種發電效率高且可折疊的柔性非晶硅太陽能電池。
為了解決以上提出的問題,本實用新型采用的技術方案為:一種柔性非晶硅太陽能電池,包括柔性襯底,成型于柔性襯底上的前電極層,成型于前電極層上的光電轉換層,以及成型于光電轉換層上的后電極層,且所述后電極層與光電轉換層相接觸的一面設有至少一個具有一曲率半徑的第一凹槽,所述前電極層與光電轉換層相接觸的一面設有至少一個具有一曲率半徑的第二凹槽。
根據本實用新型的一優選實施例:所述柔性襯底采用柔性聚合物薄膜構成,所述前電極層采用在柔性襯底上淀積氧化鋅形成,所述光電轉換層采用在前電極層上依次形成的p型、i型和n型非晶硅層構成,所述后電極層采用在光電轉換層上淀積氧化鋅形成。
根據本實用新型的一優選實施例:所述柔性襯底的材料采用聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者聚醚砜(PES)。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果在于:本實用新型在成型時,將光電轉換層與前電極層、后電極層之間形成至少一個弧形接觸面,這樣可以提高光電轉換層的轉換效率,增加發電量,同時采用柔性襯底實現了電池的可折疊性。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本實用新型的柔性非晶硅太陽能電池的結構示意圖
附圖標記說明:1、柔性襯底,2、前電極層,3、光電轉換層,4、后電極層,5、第一凹槽,6、第二凹槽。
具體實施方式
下面結合附圖對本實用新型的優選實施例進行詳細闡述,以使本實用新型的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解,從而對本實用新型的保護范圍做出更為清楚明確的界定。
參閱圖1所示,本實用新型提供一種柔性非晶硅太陽能電池,包括柔性襯底1,成型于柔性襯底1上的前電極層2,成型于前電極層2上的光電轉換層3,以及成型于光電轉換層3上的后電極層4,且后電極層4與光電轉換層3相接觸的一面設有至少一個具有一曲率半徑的第一凹槽5,前電極層2與光電轉換層3相接觸的一面設有至少一個具有一曲率半徑的第二凹槽6。
在本實用新型中,所述柔性襯底1采用柔性聚合物薄膜構成,所述前電極層2采用在柔性襯底1上淀積氧化鋅形成,所述光電轉換層3采用在前電極層2上依次形成的p型、i型和n型非晶硅層構成,所述后電極層4采用在光電轉換層3上淀積氧化鋅形成。在前電極層2具體成型過程中,可調整成型設備的高度來實現第二凹槽6的形成,在光電轉換層3成型過程中,也可調整成型的高度在光電轉換層3上形成一個凸面,進而后電極層4在光電轉換層3上成型時即可形成一個第一凹槽5。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





