[實用新型]一種可靠補償MOS管閾值電壓變化的電路有效
| 申請號： | 201520430694.2 | 申請日： | 2015-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN204731670U | 公開（公告）日： | 2015-10-28 |
| 發明（設計）人： | 梁星 | 申請（專利權）人： | 西安華芯半導體有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/46 | 分類號： | G05F1/46 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 徐文權 |
| 地址： | 710075 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 可靠 補償 mos 閾值 電壓 變化 電路 | ||
【說明書】：
【技術領域】
本實用新型涉及一種補償MOS管閾值電壓隨工藝和溫度變化的電路。
【背景技術】
在CMOS集成電路中，MOS管的閾值電壓是指半導體表現產生反型層(導電溝道)時所需要施加在柵極上的電壓。以n溝道MOSFET為例，當柵電壓使得p型半導體表面能帶向下彎曲到表面勢ψs>2ψB時，即認為半導體表面強反型。這里的ψB是半導體的費米勢，即半導體禁帶中央與費米能級之差。閾值電壓VT包含三個部分(不考慮襯偏電壓變化時)：柵氧化層上的電壓降Vox，半導體表面附近的電壓降2ψB，抵消MOS系統中各種電荷影響的電壓降(平帶電壓VFB)。
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