[實用新型]一種抗LID黑硅太陽能高效電池有效
| 申請號： | 201520411949.0 | 申請日： | 2015-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN204885179U | 公開（公告）日： | 2015-12-16 |
| 發明（設計）人： | 姚玉 | 申請（專利權）人： | 鎮江大全太陽能有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/042 | 分類號： | H01L31/042;H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 212211 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 lid 太陽能 高效 電池 | ||
【權利要求書】：
1.一種抗LID黑硅太陽能高效電池，包括正、負電極和鋁背場，其特征在于：還包括P型硅片襯底和依次位于P型硅片襯底上的PN結、SiO2氧化膜、SiNx薄膜，所述PN結厚度均勻，所述SiNx薄膜包覆在SiO2氧化膜表面。
2.根據權利要求1所述的一種抗LID黑硅太陽能高效電池，其特征在于：所述P型硅片襯底一端平整，另一端呈陷光結構，在其陷光結構端端面為PN結；所述PN結外側、P型硅片襯底陷光結構端外層為SiO2氧化膜；所述SiNx薄膜一端平整，另一端與所述P型硅片襯底陷光結構端形成吻合設置。
3.根據權利要求1或2所述的一種抗LID黑硅太陽能高效電池，其特征在于：所述PN結深為0.1~10μm。
4.根據權利要求1或2所述的一種抗LID黑硅太陽能高效電池，其特征在于：所述SiNx薄膜厚度為50~150nm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
