[實用新型]生長C偏M向藍寶石單晶的泡生法單晶爐結構

有效

• 申請號: 201520409537.3
• 申請日: 2015-06-15
• 公開（公告）號: CN204874816U
• 公開（公告）日: 2015-12-16
• 發明（設計）人: 左洪波;楊鑫宏;張學軍;李鐵
• 申請（專利權）人: 哈爾濱奧瑞德光電技術有限公司
• 主分類號: C30B17/00
• 分類號: C30B17/00;C30B29/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種生長C偏M向藍寶石單晶的泡生法單晶爐結構，其特征在于它包括籽晶桿換熱器、上隔熱屏、電極、加熱體、側隔熱屏、坩堝蓋、坩堝、鎢盤、支柱、下隔熱屏及底部保溫磚結構，籽晶夾固定在籽晶桿換熱器上，上隔熱屏設置在加熱體上方，電極設置在上隔熱屏兩側上方，側隔熱屏設置在加熱體外側，下隔熱屏設置在加熱體下方，藍寶石單晶設置在坩堝內，坩堝設置在加熱體內，鎢盤設置在坩堝下方，支柱連接鎢盤，側隔熱屏由順次設置的鉬筒、保溫磚層、保溫填料層組成。

2.根據權利要求1所述的一種生長C偏M向藍寶石單晶的泡生法單晶爐結構，其特征在于所述的籽晶桿熱換器的冷卻水管原來的2分水管調整為4分水管。

3.根據權利要求2所述的一種生長C偏M向藍寶石單晶的泡生法單晶爐結構，其特征在于所述的側隔熱屏中鉬筒采用多層鉬筒。

4.根據權利要求3所述的一種生長C偏M向藍寶石單晶的泡生法單晶爐結構，其特征在于所述的側隔熱屏鉬筒為5~12層，厚度0.3~2mm的多層鉬筒，中間保溫磚層為厚度20~100mm的氧化鋯、氧化鎂或氧化鋁纖維磚拼接結構，保溫磚層外為厚度20~70mm的氧化鋁球保溫填料。

5.根據權利要求4所述的一種生長C偏M向藍寶石單晶的泡生法單晶爐結構，其特征在于所述的支柱直徑50~120mm，高度270~450mm，支柱與鎢盤接觸一側有直徑5~40mm，深度20~100mm的盲孔。

6.根據權利要求5所述的一種生長C偏M向藍寶石單晶的泡生法單晶爐結構，其特征在于所述的下隔熱屏為7~25層鉬片，厚度1~4mm。