[實用新型]一種用于處理基板的罩框和基板支撐組件有效
| 申請號: | 201520400947.1 | 申請日: | 2015-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN204696086U | 公開(公告)日: | 2015-10-07 |
| 發明(設計)人: | 趙來;R·L·蒂納;崔壽永;J·M·懷特;樸范洙;S·安瓦爾 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 徐偉 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 處理 支撐 組件 | ||
技術領域
本文所公開的實施方式一般涉及一種用于在工藝腔室中的基板或晶片上制造膜的設備。
背景技術
液晶顯示器或平板常用于有源矩陣顯示器,如計算機、電視機和其他監視器。等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)用來在基板(如用于平板顯示器的半導體晶片或透明基板)上沉積薄膜。PECVD一般通過將前驅氣體或氣體混合物引入到包含基板的真空腔室中來實現。通常將前驅氣體或氣體混合物向下引導穿過位于腔室頂端附近的分配板。在腔室中的前驅氣體或氣體混合物通過從耦接至電極的一或多個功率源向腔室中的電極施加功率諸如射頻(RF)功率來激勵(例如,激發)成等離子體。受激發的氣體或氣體混合物進行反應以在基板的表面上形成材料層。所述層可以是例如鈍化層、柵極絕緣層、緩沖層、和/或蝕刻終止層。所述層可以是更大結構(例如像顯示器裝置中使用的薄膜晶體管(TFT)或有源矩陣有機發光二極管(AMOLED))的一部分。
通過PECVD技術來處理的平板通常較大。例如,平板可以超過4平方米。隨著平板基板大小繼續增長,膜厚度均勻性控制成為問題。通常在PECVD中使用遮蔽結構來保護基板支撐件免受等離子體影響。然而,由于遮蔽結構覆蓋了基板的最外邊緣,因此遮蔽結構:1)使得邊緣去除區域(edge?exclusion;EE)增加了3mm至5mm;以及2)對基板的周緣/邊緣區域附近的膜沉積造成負面影響。一種提高邊緣均勻性的方式是將遮蔽結構消除。然而,消除遮蔽結構使得基板支撐表面的周緣區域暴露于等離子體中。暴露周緣區域可能導致因基板與未覆蓋的基板支撐表面之間的偏移造成的在基板的邊緣區域處較高的沉積速率。另外,基板支撐表面暴露于等離子體會引起等離子體電弧放電和不均勻沉積。
因此,存在提高基板中的沉積速率和膜分布均勻性的需要。
實用新型內容
本公開案一般涉及一種具有低阻抗遮罩的罩框,所述遮罩在處理期間在基板下方延伸。雖然不受理論限制,但據信,所述低阻抗遮罩通過降低基板支撐件邊緣處的阻抗失配來提高膜沉積均勻性。
本文中公開的一些實施方式包括一種用于處理基板的罩框。所述罩框包括連續的基部。所述基部具有形成在該基部中的連續的突出部分。所述突出部分從所述基部的內表面而向外延伸。所述突出部分包括:第一表面,所述第一表面從所述基部的所述內表面而向外延伸小于所述基部的整個最大寬度的距離;以及第二表面,所述第二表面與所述第一表面相鄰且位于所述第一表面外部。所述第二表面形成第一周緣。所述罩框還包括連續的遮罩。所述遮罩具有形成第二周緣的內表面。所述遮罩安置在所述突出部分的上方并且具有小于約10mm的厚度。所述遮罩具有低阻抗。所述第二周緣小于所述第一周緣。
本文中公開的一些實施方式包括一種基板支撐組件。所述基板支撐組件包括具有基板支撐表面的基板支撐件。所述基板支撐表面包括:第一突出部分和第二突出部分。所述第一突出部分包括平行于所述基板支撐表面的第一表面、和垂直于所述第一表面的第二表面。所述第二突出部分從所述第一突出部分的所述第二表面向內延伸。所述第二突出部分包括平行于所述基板支撐表面的第三表面、和垂直于所述第三表面的第四表面。所述基板支撐組件還包括了連續的基部。所述基部具有內表面且形成第一周緣。所述基部安置在所述第一表面的上方。所述基部支撐組件還包括形成在所述基部的所述內表面中的連續的第三突出部分。所述第三突出部分包括從所述基部的所述內表面而向外延伸小于所述基部的整個最大寬度的距離的第五表面。所述第三突出部分還包括第六表面,所述第六表面與所述第五表面相鄰且位于所述第五表面外部。所述基板支撐組件還包括連續的遮罩。所述遮罩包括形成第二周緣的內表面。所述遮罩安置在所述第三突出部分的上方。所述遮罩具有小于約7mm的厚度。所述基板支撐表面從所述第四表面而向內延伸。
附圖說明
因此,為了詳細理解本公開案的上述特征結構的方式,上文簡要概述的本公開案的更具體的描述可以參照實施方式進行,一些實施方式圖示在附圖中。然而,應當注意,附圖僅圖示本公開案的典型實施方式,且因此不應被視為本公開案的范圍的限制,因為本公開案可允許其他等效的實施方式。
圖1是具有氣體限制組件的工藝腔室的一個實施方式的示意橫截面圖。
圖2是環繞圖1的基板支撐件的氣體限制組件的平面圖。
圖3是圖1的基板支撐件的周緣部分的橫截面圖。
為了促進理解,已盡可能使用相同元件符號指定各圖所共有的相同元件。應預見到一個實施方式的要素和特征可有利地并入其他實施方式,而無需進一步敘述。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





