[實用新型]高像素影像傳感芯片的晶圓級封裝結構有效
| 申請號: | 201520320946.6 | 申請日: | 2015-05-18 |
| 公開(公告)號: | CN204760384U | 公開(公告)日: | 2015-11-11 |
| 發明(設計)人: | 萬里兮;項敏;翟玲玲;錢靜嫻;馬力 | 申請(專利權)人: | 華天科技(昆山)電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 昆山四方專利事務所 32212 | 代理人: | 盛建德;段新穎 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 影像 傳感 芯片 晶圓級 封裝 結構 | ||
技術領域
本實用新型涉及影像傳感芯片的封裝,具體是涉及一種高像素影像傳感芯片的晶圓級封裝結構。
背景技術
高像素影像傳感芯片的封裝,要求感測區與透光基板之間有較大的間隙,否則透光基板上的顆粒會對像素區產生較大影響,且容易產生鬼影或炫光等不良現象。透光基板需固定在支撐基板上,透光基板與支撐基板的接觸面盡量與感測區平行,以保證透光基板與感測區平行設置,光學性能良好。然而,較大間隙的形成及透光基板的安放,在晶圓級封裝過程中較為復雜,光學性能也有待進一步提高。
發明內容
為了解決上述技術問題,本實用新型提出一種高像素影像傳感芯片的晶圓級封裝結構,結構簡單,且能夠提高封裝結構的光學性能及可靠性。
本實用新型的技術方案是這樣實現的:
一種高像素影像傳感芯片的晶圓級封裝結構,包括一影像傳感芯片和一硅基板,該影像傳感芯片包括一基底、形成于該基底的第一表面的感測區及位于所述感測區周邊的若干焊墊;所述硅基板具有第一表平面及與其相對的第二表平面,所述硅基板的第二表平面粘貼于所述基底的第一表面,所述硅基板對應感測區位置設有一貫通所述硅基板的開口,所述開口的底部暴露出該感測區;所述硅基板第一表面開口頂部固定有一透光基板,所述透光基板平面尺寸大于開口且小于硅基板第一表平面,所述透光基板的兩個表平面平行或接近平行于所述感測區所在平面。
作為本實用新型的進一步改進,所述開口側壁與所述感測區所在平面的二面角α的范圍為:40°≤α≤130°。
作為本實用新型的進一步改進,所述硅基板厚度范圍為100μm~500μm。
作為本實用新型的進一步改進,所述透光基板為IR光學鍍膜玻璃。
作為本實用新型的進一步改進,所述硅基板的第一表平面刻有至少一條連通所述開口與所述基板邊緣空間的通氣槽。
作為本實用新型的進一步改進,所述基底的第二表面形成有暴露所述焊墊的通道,所述通道及所述基底的第二表面上形成有暴露焊墊的絕緣層,所述絕緣層及焊墊暴露面上形成有將所述焊墊的電性引至所述基底的第二表面上的金屬布線層,所述金屬布線層上形成有用于防止金屬布線層氧化或腐蝕的保護層。
本實用新型的有益效果是:本實用新型提供一種高像素影像傳感芯片的晶圓級封裝結構,通過設置硅基板可保證感測區與透光基板之間的間隙能夠滿足高像素影像傳感芯片的要求,且該較大間隙降低了透光基板顆粒對感測區產生的影響;通過將硅基板上開口頂部尺寸設計成小于開口底部尺寸,能夠增加透光基板安置的自由度;通過將硅基板上開口頂部尺寸設計成大于開口底部,可以有效降低高像素影像傳感芯片產生炫光、鬼影等的影響;硅基板通常更容易保證具有平行或接近平行的第一表平面和第二表平面,相比在硅基板內做凹槽以形成臺階安放透光基板,在基板表平面安放透光基板,制程簡單,且能夠保證硅基板上安放透光基板的面是平整的,從而能夠達到改善封裝結構的光學性能的目的。
附圖說明
圖1為本實用新型實施例1結構示意圖;
圖2為圖1中A處放大結構示意圖;
圖3為本實用新型實施例1與透鏡配合結構示意圖;
圖4為本實用新型實施例1基底背部互連的結構示意圖;
圖5為本實用新型實施例2結構示意圖。
結合附圖做以下說明
1——硅基板101——第一表平面
102——第二表平面2——開口
3——透鏡4——通氣槽
5——半封閉溝道6——粘膠
7——透光基板8——基底
9——影像傳感芯片901——介質層
902——焊墊903——感測區
10——通道11——絕緣層
12——金屬布線層13——保護層
具體實施方式
為使本實用新型能夠更加明顯易懂,下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。為方便說明,實施例附圖的結構中各組成部分未按正常比例縮放,故不代表實施例中各結構的實際相對大小。
實施例1
如圖1和圖2所示,一種高像素影像傳感芯片的晶圓級封裝結構,包括一影像傳感芯片9和一硅基板1,該影像傳感芯片包括基底8、形成于該基底的第一表面的感測區903及位于所述感測區周邊的若干焊墊902,其中感測區903和焊墊902處于一介質層901中,若干焊墊與感測區通過內部金屬線路電連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華天科技(昆山)電子有限公司,未經華天科技(昆山)電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201520320946.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種增加GaN基反向電壓的外延結構
- 下一篇:可更換的晶圓承托結構
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





