[實用新型]一種磁場旋轉磁控柱弧靶有效
| 申請號: | 201520244431.2 | 申請日: | 2015-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN204644453U | 公開(公告)日: | 2015-09-16 |
| 發明(設計)人: | 鄢強;宋慧瑾 | 申請(專利權)人: | 成都金倍科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 成都正華專利代理事務所(普通合伙) 51229 | 代理人: | 李林合 |
| 地址: | 610000 四川省成都市高新區*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 磁場 旋轉 磁控柱弧靶 | ||
技術領域
本實用新型涉及真空鍍膜機的零部件,具體涉及到一種磁場旋轉磁控柱弧靶。
背景技術
現有的旋轉圓柱靶,靶材利用率不高,水冷效果差,消磁快,特別是結構復雜,制造成本高,裝配不便。中國實用新型專利CN?201778105U公布了一種新型磁控濺射圓柱靶,中國實用新型專利CN201424502Y公布了一種旋轉濺射電弧柱靶裝置,中國實用新型專利CN201209166Y公布了一種改良的磁濺射圓柱靶,中國實用新型專利CN202347087U公布了一種旋轉式磁控圓柱靶。但在實際使用中,這些靶存在部分零件加工難度大;結構復雜,制造成本升高,裝配難度大;部分結構設計不合理,故障率大;不利率整體快速更換源頭等缺點。中國實用新型專利CN201309962Y公布了一種通過防護處理的磁控濺射圓柱靶,采用熱縮管等對磁鐵進行了防護處理,能夠防止水對磁鐵的腐蝕。但這種方法所采用的材料及結構是一次性的,不可重復使用;也不利于頻繁更換,限制了工藝擴展范圍;長期浸在水中的防護用熱縮管的壽命在一定程度上限制了靶的使用壽命。
實用新型內容
本實用新型的目的是提供一種磁場旋轉磁控柱弧靶。
為達上述目的,本實用新型所采用的技術方案是:提供一種磁場旋轉磁控柱弧靶,一種磁場旋轉磁控柱弧靶,包括靶座,分水套,傳動機構,靶管,防水罩和磁軸;
靶座包括大法蘭,大法蘭下部連接有屏蔽罩,大法蘭上設有密封環,密封環上為密封座,密封座上為絕緣壓環;
分水套通過螺釘與密封座連接,分水套內部被分水環分隔成上進水室和下出水室;所述分水環固定在支架上,支架上開設有均分的孔;支架固定在密封軸座上,密封軸座與分水套連接,密封軸座內裝有帶動磁芯部旋轉的軸,電極連接片固定在密封軸座上;
傳動機構的小齒輪與大齒輪嚙合,大齒輪通過絕緣環與磁芯旋轉軸絕緣,絕緣0環下的支承環隔開絕緣環和軸承壓環;傳動機構的可逆調速電機固定在電機支承板上,電機支承板固定在大法蘭上;
靶體包括圓管狀、結構對稱的靶材和靶管,靶管上端與密封座連接,靶管下端和靶材螺紋連接用于密封靶管內的水;
防水罩配合不銹鋼管套、管套上端的密封壓墊、磁軛上端和磁軛下端用于密封磁軸;所述磁軸包括磁軛和磁體。
作為上述實施例的優化方案,整個柱靶僅僅通過螺釘實現大法蘭與真空鍍膜機對應裝配位的裝卸。
作為上述實施例的優化方案,大法蘭上的密封環,起真空密封及靶與真空室之間的絕緣作用。低溫工藝時一般選聚四氟乙烯材料,高溫工藝時選精密陶瓷或石英玻璃件。
作為上述實施例的優化方案,絕緣壓環通過螺釘將密封座、密封環、O型圈壓緊在大法蘭上實現真空密封。
作為上述實施例的優化方案,分水套內被分水環分為上進水室和下出水室,分別通過水嘴與外部進出水管相接。
作為上述實施例的優化方案,分水環固定在分水環固定架上,該分水環固定用支架上開有均分的孔。
作為上述實施例的優化方案,密封軸座通過螺釘與分水套連接,通過O型圈實現密封。
作為上述實施例的優化方案,帶動磁芯部旋轉的軸通過裝在密封軸座內的O型圈、墊環、軸封和壓環實現真空動密封。
作為上述實施例的優化方案,傳動用大齒輪通過絕緣環與磁芯旋轉軸絕緣。
作為上述實施例的優化方案,支承環隔開絕緣環和軸承壓環,避免轉動中的碰撞。
作為上述實施例的優化方案,電機支承板通過螺桿固定在大法蘭上,方便快捷地進行整體換靶。
作為上述實施例的優化方案,管靶被設計成兩端裝配位對稱結構,方便兩端調換使用,提高靶材利用率。
作為上述實施例的優化方案,磁軸外套有可拆卸的不銹鋼防水罩。
作為上述實施例的優化方案,防水罩的不銹鋼管套下端部焊接有環狀板,與磁軛下端配合壓O型圈實現防水罩的下部密封。
作為上述實施例的優化方案,采用密封壓墊與磁軛上端間壓一O型圈實現防水罩的上部密封。
作為上述實施例的優化方案,在磁軛兩端安裝相對于中部長條形區域磁場強度略低的磁體
作為上述實施例的優化方案,在磁軛中安裝3級磁場強度的磁體,其中最強的磁體被安裝在3路間隔的長條狀槽中,中等強度的磁體被安裝另外3路間隔的長條狀槽中,相對最弱的磁體被安裝在兩端。
作為上述實施例的優化方案,所安裝的磁路使得靶管表面的整體磁場強度降低到磁控濺射與離子鍍技術所需求的磁場強度的臨界區域內。
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