[實用新型]一種防止炸機電路有效
| 申請號: | 201520242319.5 | 申請日: | 2015-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN204649798U | 公開(公告)日: | 2015-09-16 |
| 發明(設計)人: | 陳顯林;彭解紅;王安素;王仲;蔡海強;陳松;高紅寶 | 申請(專利權)人: | 樂雷光電技術(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G01R1/36 | 分類號: | G01R1/36 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 200331 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 防止 機電 | ||
技術領域
本實用新型涉及LED燈測試技術領域,具體涉及一種防止開關電源在灌膠后,帶上燈具進行高壓測試時炸機的電路。
背景技術
目前市場上的LED路燈電源大多帶PFC,都需要灌膠(環氧樹脂或者聚氨酯灌封膠),用以做IP66防水。路燈是容性負載,引入了寄生電容,灌膠后也促使寄生電容進一步增加。由于寄生電容的增加,當對其進行高壓絕緣測試時,噪聲會通過寄生電容耦合到的線路中去,影響了測試的關鍵參數,導致超出了PFC-MOSFET能夠承受的電壓應力,發生PFC部分炸機。因此,開關電源在灌膠后帶上燈具進行高壓測試時,防止發生炸機現象是函待解決的技術問題。
發明內容
本實用新型提出了一種防止炸機電路,其電路結構簡單、制造成本低廉,具體技術方案如下:該電路包括橋式整流電路DB1,DB1的負向輸出端接地;DB1的正向輸出端與變壓器T1的一端及二極管D1的正向輸入端公共連接,變壓器T1的另一端與二極管D2的正向輸入端、場效應管晶體管Q1的漏極、電容C2的一端公共連接;電容C2的另一端、場效應管晶體管Q1的源極接地;二極管D1的反向輸入端、二極管D2的反向輸入端、電容C3的一端、電容C4的一端公共連接;電容C3的另一端、電容C4的另一端接地GND;場效應管晶體管Q1的柵極、電阻R2的一端、電阻R1的一端,電容C1的一端、二極管D3的正向輸入端公共連接;電阻R2的另一端、電容C1的另一端接地;PFC電路的輸出端DRV、電阻R1的另一端、二極管D3的反向輸入端公共連接;PFC電路的GND端接地。
本實用新型的進一步的實施例中,所述電容C3為極性電容,所述電容C3的正極與二極管D2的反向輸入端、二極管D1的反向輸入端、電容C4的一端公共連接,電容C3另一極接地。
本實用新型的進一步的實施例中,場效應管晶體管Q1漏極與一穩壓二極管的反向輸入端連接,穩壓二極管的正向輸入端與場效應管晶體管Q1的源極連接。
本實用新型的進一步的實施例中,場效應管晶體管Q1為PFC功率開關MOSFET。
本實用新型的進一步的實施例中,電容C1的電容值與場效應管晶體管Q1的S極與機殼形成的寄生電容Cm的電容值相匹配。
有益效果
本專利使PFC-MOSFET門極電壓不超過電壓應力設定值,以保護PFC-MOSFET,從而避免了PFC-MOSFET擊穿短路而發生炸機現象。與現有技術相比,本發明的優點能有效保護PFC-MOSFET,在加高壓時,規避寄生電容門極累積電荷超出PFC-MOSFET門極電壓應力。實現成本非常低廉,實施方法簡單有效。
附圖說明
圖1為防止炸機電路。
具體實施方式
如圖1所示為一種防止炸機電路,其電路結構簡單、制造成本低廉,具體技術方案如下:該電路包括橋式整流電路DB1,DB1的負向輸出端接地;DB1的正向輸出端與變壓器T1的一端及二極管D1的正向輸入端公共連接,變壓器T1的另一端與二極管D2的正向輸入端、場效應管晶體管Q1的漏極、電容C2的一端公共連接;電容C2的另一端、場效應管晶體管Q1的源極接地;二極管D1的反向輸入端、二極管D2的反向輸入端、電容C3的一端、電容C4的一端公共連接;電容C3的另一端、電容C4的另一端接地GND;場效應管晶體管Q1的柵極、電阻R2的一端、電阻R1的一端,電容C1的一端、二極管D3的正向輸入端公共連接;電阻R2的另一端、電容C1的另一端接地;PFC電路的輸出端DRV、電阻R1的另一端、二極管D3的反向輸入端公共連接;PFC電路的GND端接地。場效應管晶體管Q1為PFC功率開關MOSFET。
由于LED路燈電源都需要灌膠,從而介入了寄生電容,當加高壓時,就會通過寄生電容耦合到的線路中去,導致超出了PFC-MOSFET能夠承受的電壓應力,使得PFC-MOSFET擊穿短路。在寄生電容上串聯一個電容,利用電容分壓原理,來降低高壓絕緣測試時PFC-MOSFET門極電壓,從而保護了PFC-MOSFET。
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