[實用新型]一種生長碳納米管的等離子體氣相沉積系統

有效

• 申請號: 201520228986.8
• 申請日: 2015-04-16
• 公開（公告）號: CN204752846U
• 公開（公告）日: 2015-11-11
• 發明（設計）人: 趙青;曾令珂
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: C23C16/26
• 分類號: C23C16/26;C23C16/513
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 李明光

1.一種生長碳納米管的等離子體氣相沉積系統，包括高壓電源正極接線柱(1)、高壓電源負極接線柱(2)、金屬底盤接線柱(3)、加熱電源正極接線柱(4)、加熱裝置負極接線柱(5)、金屬底盤(6)、金屬圓盤(7)、進氣管道(8)、金屬圓盤外圍接線柱(9)、出氣口(10)、絕熱層(11)、加熱裝置(12)及固定裝置(13)，所述絕熱層(11)圍成一個圓柱形腔體(14)；

其特征在于，所述高壓電源正極接線柱(1)、高壓電源負極接線柱(2)關于腔體中軸線對稱設置于所述圓柱形腔體底部并貫穿整個腔體(14)底壁；

所述進氣管道(8)由圓柱形腔體的底部伸入并向上延伸至圓柱形腔體頂部后，其通道方向指向原圓柱形腔體中軸線并向下旋轉180度，使得進氣管道(8)的出口位于所述圓柱形腔體內的正上方且出氣方向指向正下方；

所述金屬底盤(6)通過支腳固定于圓柱形腔體底部，并位于所述進氣管道(8)的出氣口的正下方；所述金屬底盤接線柱(3)位于所述金屬底盤(6)上；所述接線柱(3)通過導線與所述高壓電源負極接線柱(2)位于腔體(14)內部一端連接；

所述金屬圓盤(7)中間開孔并水平放置于進氣管道(8)的出氣口處，且與所述金屬底盤(6)平行；所述金屬圓盤(7)通過裹覆于進氣管道(8)外部的金屬外壁與設置于所述圓柱形腔體底部的金屬圓盤外圍接線柱(9)連接；所述金屬圓盤外圍接線柱(9)通過導線與所述高壓電源正極接線柱(1)位于腔體(14)外側的一端連接；

所述出氣口(10)開設于所述圓柱形腔體的底壁上且位于所述金屬底盤(6)的正下方。

2.根據權利要求1所述的生長碳納米管的等離子體氣相沉積系統，其特征在于，所述加熱裝置(12)為多個形狀一致、各具有一個開口的環狀非閉合電熱絲由上至下等間距疊放而成，所述多個電熱絲通過固定裝置(13)固定于圓柱腔體(14)內；所述多個環狀非閉合電熱絲開口的一端均與加熱電源正極接線柱(4)連接，所述多個環狀非閉合電熱絲開口的另一端均與加熱裝置負極接線柱(5)連接；所述加熱電源正極接線柱(4)、加熱裝置負極接線柱(5)均貫穿于所述圓柱形腔體(14)的底壁。

3.根據權利要求1所述的生長碳納米管的等離子體氣相沉積系統，其特征在于，所述金屬底盤(6)為圓形金屬底盤。

4.根據權利要求1所述的生長碳納米管的等離子體氣相沉積系統，其特征在于，所述固定裝置(13)由絕緣材料制成。