[實用新型]一種具有上表面花紋的透明蓋板玻璃有效
| 申請號: | 201520228465.2 | 申請日: | 2015-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN204577439U | 公開(公告)日: | 2015-08-19 |
| 發明(設計)人: | 劉燕娟;何進;劉明剛 | 申請(專利權)人: | 中國南玻集團股份有限公司;東莞南玻太陽能玻璃有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/054 |
| 代理公司: | 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215 | 代理人: | 劉克寬 |
| 地址: | 518067 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 表面 花紋 透明 蓋板 玻璃 | ||
技術領域
本發明創造涉及蓋板玻璃技術領域,特別涉及一種具有上表面花紋的透明蓋板玻璃。
背景技術
在太陽能光伏板中,一般需要采用透明的蓋板玻璃作為前面板,將光伏元件置于透明玻璃的背面以保護光伏元件,光伏元件是太陽能面板中的核心器件,用于將接收到的光能轉化為電能,因此,一般要求光線必須盡可能多的透過蓋板玻璃以到達光伏元件上。
為了提高蓋板玻璃的透光率,現有技術一般采用在蓋板玻璃的上表面設置絨面以減少反射,例如專利號為201010249841.8的專利文獻公開了一種太陽能光伏電池蓋板玻璃,該玻璃的上表面為絨面面型,所述的絨面面型為周期結構,至少包括倒-雙正弦周期結構、正-雙正弦周期結構、倒-雙正弦平方周期結構,正-雙正弦平方周期結構,倒-雙正弦開根號周期結構,正-雙正弦開根號周期結構,倒-金字塔周期結構,正-金字塔周期結構,倒-圓錐體周期結構,正-圓錐體周期結構和一維正余弦周期結構。該專利文件指出了通過調整絨面面型的結構來調整透光率,主要調整的是絨面結構中各個凸點的結構。
然而,絨面表面仍然不可避免的存在一些反射,如圖1所示,照射到單個凸點上的光線一部分進入凸點內,在凸點內經過一系列折射后從蓋板玻璃的底面出射以到達光伏原件上;另一部分則在凸點的表面被反射而背離蓋板玻璃出射,無法進入蓋板玻璃里面,因此反射率的大小是影響蓋板玻璃透射率的主要因素,要提高蓋板玻璃的透射率,就要盡可能的降低其表面的反射率。然而,由于工藝和材料因素限制,單個凸點的反射率降低到一定程度后,難以通過對單個凸點的結構的調整來使反射系數下降,即很難通過降低單個凸點的透光率來提高)璃面板的整體透過率。正是基于上述原因,目前的蓋板玻璃的透過率一般能夠達到92%,但是在此基礎上卻很難有進一步的提高。在該數值基礎上,即使是0.5%的提高,也可能意味著其材料的純度和工藝的難度是成倍的增加。
因此,提供一種能夠有效提高透光率的具有上表面花紋的透明蓋板玻璃具有重要的意義。
發明內容
本發明創造的目的在于避免上述現有技術中的不足之處而提供一種能夠有效提高透光率的具有上表面花紋的透明蓋板玻璃。
發明思路:通過光線入射到凸點上后,大部分會穿過凸點的側面進入面板本體中,小部分光線會被反射。然而,本技術發明人發現,如果增大凸點的側面與蓋板玻璃的上表面的角?度β,同時合理調節相鄰凸點的距離,則能夠使相當部分被反射的光線通過相鄰的其他的凸點而進入到面板本體中,但是,如圖2所示,如果角度β過大,則這部分光線通常由于角度原因而會在面板整個主體的下表面產生全反射,導致這部分的光線無法穿過面板主體而被光伏元件接收,因此,只要合理改變凸點的結構和相鄰凸點的距離,使得盡可能多的光線能夠在面板整體的下表面不被全反射,從而重新被利用,則能夠有效的提高蓋板玻璃的透光率。利用這一點,本技術發明人有創造性的改變了凸點的結構參數和相鄰凸點間的距離參數,使得蓋板玻璃的整體透光率有效提高。
本發明創造的目的通過以下技術方案實現:
提供了一種具有上表面花紋的透明蓋板玻璃,具有上表面花紋的透明蓋板玻璃,包括面板本體和設置于面板本體上表面的紋路層,所述紋路層由凸點構成,每個凸點的高度h在0.08-1mm之間,所述凸點呈棱錐狀或者圓錐狀,設過凸點的頂點并與凸點的底面垂直的直線為標準線,棱錐狀的凸點的側面與標準線的夾角α1或者圓錐狀的凸點的任一母線與標準線的夾角α2為凸點的特征角α,則35°≤α≤55°,棱錐狀的凸點的底面最長對角線或者圓錐狀的凸點的底面的直徑為凸點的底寬L,則0.2mm≤L≤2.5mm,相鄰凸點之間的中心間距在1.1L至2L之間。
其中,所述凸點呈矩形陣列排布以形成紋路層。
其中,所述凸點呈菱形陣列排布以形成紋路層。
其中,所述特征角α的角度值為45°。
其中,所述特征角α為35°≤α≤40°。
其中,所述凸點的高度h與所述凸點的底寬L的比值為35%-65%。
其中,所述面板本體的厚度在3mm~5mm之間。
其中,所述棱錐狀的凸點的底面呈正多邊形。
其中,所述每個凸點的高度h在0.08mm~0.12mm之間,所述底寬L在0.2mm~0.3mm之間。
其中,鄰凸點之間的中心間距在1.2L至1.5L之間。
本發明創造的有益效果:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





