[實用新型]一種電磁爐

有效

• 申請號: 201520192892.X
• 申請日: 2015-04-01
• 公開（公告）號: CN204648354U
• 公開（公告）日: 2015-09-16
• 發明（設計）人: 朱澤春;陳寧濤;高朝崗;胡文飛
• 申請（專利權）人: 九陽股份有限公司
• 主分類號: F24C7/00
• 分類號: F24C7/00;F24C7/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

【技術領域】

本實用新型涉及一種電磁爐，屬于廚房烹飪電器領域。

【背景技術】

電磁爐因為通過電磁感應加熱進行烹飪食物，發熱效率高，使用方便安全，同時攜帶方便，易于使用，只要有電源的地方皆可使用，與傳統的加熱設備相比具有極大的優勢，已經被越來越多的人所使用。對于現有的電磁爐，其電磁線圈對應的引線較為無序的完全位于線盤的外圍，顯得雜亂，也影響電磁線圈通過引線對外連接。

【實用新型內容】

本實用新型所要解決的問題是提供一種結構實用、電磁線圈對外連接方便的電磁爐。

為解決上述技術問題，本實用新型采用如下技術方案：

一種電磁爐，包括外殼、電磁線盤，所述電磁線盤包括盤繞成多圈的電磁線圈，所述電磁線盤設于外殼內，所述電磁爐還包括自電磁線圈延伸出的第一引線，所述第一引線部分處于電磁線盤的底部，所述第一引線的末端位于電磁線盤的外圍并連接有引線端子。

采用本技術方案，所述第一引線部分處于電磁線盤的底部，利于對引線的理線，使電磁爐結構較為實用，第一引線及其末端連接的引線端子方便電磁線圈的對外連接。

優選的，所述第一引線由電磁線圈的最外一圈引出，并且部分彎折收容于電磁線盤的底部。由于第一引線從電磁線圈的最外一圈引出，更容易過長，采用本方案，有利于高效地將過長的引線收縮到電磁線盤底部，便于對引線的理線使電磁爐內部更加有序。

優選的，所述第一引線于電磁線盤的底部形成的彎折中至少包含一個豎向投影為V形的彎折。如此設計，?V形彎折易于彎折成型，有利于高效地將過長的引線收縮到電磁線盤底部。

優選的，第一引線包括由電磁線圈延伸出的第一引線段、位于電磁線盤底部的第二引線段、由第二引線段延伸出并與引線端子連接的第三引線段，第一引線段至少包括于電磁線盤底部向靠近電磁線盤的中心方向延伸的第一部分，所述第二引線段由第一引線段彎折延伸出并延伸至盤架外周。如此設計，第一部分及第二引線段處于電磁線盤底部，第一部分向內（靠近電磁線盤的中心）延伸，第二引線段向外延伸（延伸至盤架外周），有利于高效地將過長的引線收縮到電磁線盤底部，便于對引線的理線使電磁爐內部更加有序。

優選的，所述電磁線盤還包括盤架，所述電磁線圈盤繞于盤架上，所述盤架的外周設有第一引線卡扣，所述第一引線段還包括由電磁線圈延伸出并卡持于第一引線卡扣的第二部分，所述第一部分由第二部分彎折延伸出。如此設計，第二部分位置被較好的限定，連帶著有利于第一部分及第二引線段更穩定的保持于電磁線盤底部。

優選的，所述電磁線盤還包括盤架，所述電磁線圈盤繞于盤架上，所述盤架的外周設有第二引線卡扣，所述第三引線段包括由第二引線段延伸出并卡持于第二引線卡扣的第三部分、連接第三部分與引線端子的第四部分。如此設計，第三部分位置被較好的限定，連帶著有利于第一部分及第二引線段更穩定的保持于電磁線盤底部。

優選的，所述電磁線盤還包括盤架，所述電磁線圈盤繞于盤架上，所述盤架設有輻射狀分布的若干磁條槽位、位于周向相鄰的一對磁條槽位之間的第三引線卡扣，第三引線卡扣位于電磁線盤底部并處于電磁線盤中心與盤架外周之間，所述第一引線部分收容于所述一對磁條槽位之間，所述第三引線卡扣卡持所述第一引線段或/和第二引線段。如此設計，有利于第一引線相應部分更穩定的保持于電磁線盤底部

優選的，所述電磁爐還包括自電磁線圈延伸出的第二引線及盤架，所述電磁線圈盤繞于盤架上，所述盤架設有輻射狀分布的若干磁條槽位、位于周向相鄰的一對磁條槽位之間的第一收容空間、位于周向相鄰的另一對磁條槽位之間的第二收容空間，所述第一引線部分收容于第一收容空間，所述第二引線部分收容于第二收容空間，所述第一引線與第二收容空間分隔開，所述第二引線與第一收容空間及第一引線分隔開。如此設計，由于第一引線的第一部分及第二引線段收縮于電磁線盤底部，會占用較多的空間，第一引線、第二引線分別對應不同的收容空間，避免理線時相互干擾，第二引線不妨礙第一引線的第一部分及第二引線段收縮于電磁線盤底部。

優選的，所述外殼至少具有面板和底殼，電磁爐還包括設于所述底殼和所述電磁線盤間的防輻射板、與引線端子連接的電路板、連接于電路板上的IGBT，所述第一引線及IGBT位于所述防輻射板上方，所述防輻射板上表面容納所述第一引線的豎向投影及IGBT的豎向投影。第一引線由電磁線圈延伸出，電磁爐工作時第一引線會處于高頻狀態，將產生較強的輻射，采用本方案，防輻射板有效的從IGBT及第一引線下方屏蔽IGBT及第一引線產生的輻射。