[實用新型]功率NPN型晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520177374.0
• 申請日: 2015-03-26
• 公開（公告）號: CN204538032U
• 公開（公告）日: 2015-08-05
• 發(fā)明（設計）人: 崔峰敏
• 申請（專利權）人: 傲迪特半導體（南京）有限公司
• 主分類號: H01L29/73
• 分類號: H01L29/73;H01L29/06
• 代理公司: 江蘇致邦律師事務所 32230
• 代理人: 樊文紅

1.功率NPN型晶體管，在正方形的低摻雜N型硅的集電區(qū)上的正方形區(qū)域內，設有高摻雜P型硅的基區(qū)，基區(qū)上設有高摻雜N型硅的發(fā)射區(qū)，其特征是，所述發(fā)射區(qū)由若干橫向和豎向排列的指狀小發(fā)射區(qū)組成，所述橫向和豎向排列的指狀小發(fā)射區(qū)沿晶圓片的對角線對稱設置，所述基區(qū)和所述發(fā)射區(qū)間隔分布，呈叉指狀；每個所述小發(fā)射區(qū)的上設有窄于小發(fā)射區(qū)的發(fā)射區(qū)接觸孔，發(fā)射區(qū)接觸孔通過發(fā)射極金屬化電極條連接至發(fā)射極電極；在相鄰兩個所述小發(fā)射區(qū)之間基區(qū)上設有基區(qū)接觸孔，基區(qū)接觸孔由基極金屬化電極條連接至基極電極；基極金屬化電極條和發(fā)射極電極條之間設有絕緣槽。

2.根據(jù)權利要求1所述的功率NPN型晶體管，其特征是，所述功率NPN型晶體管的芯片厚度為252±15μm，集電結深度為62μm，發(fā)射結的深度為18μm，所述集電區(qū)的電阻率為65?·cm。

3.根據(jù)權利要求1所述的功率NPN型晶體管，其特征是，所述發(fā)射區(qū)接觸孔的寬為48μm，發(fā)射區(qū)接觸孔上覆蓋的金屬化電極條的寬度為112μm。

4.根據(jù)權利要求1所述的功率NPN型晶體管，其特征是，所述基區(qū)接觸孔的寬為15μm，基區(qū)接觸孔上覆蓋的基區(qū)金屬化電極條的寬度為45μm。

5.根據(jù)權利要求1所述的功率NPN型晶體管，其特征是，所述基區(qū)的外圍的集電區(qū)上設有高摻雜P型硅的保護環(huán)。

6.根據(jù)權利要求1所述的功率NPN型晶體管，其特征是，所述基極電極和發(fā)射極電極設置在晶圓片的對角線上。