[實用新型]一種CIGS基薄膜太陽能電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520140537.8 | 申請日： | 2015-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN204441296U | 公開（公告）日： | 2015-07-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李藝明;田宏波 | 申請（專利權(quán)）人： | 廈門神科太陽能有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0392 | 分類號： | H01L31/0392 |
| 代理公司： | 廈門市首創(chuàng)君合專利事務(wù)所有限公司 35204 | 代理人： | 張松亭 |
| 地址： | 361000 福建省廈門市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 cigs 薄膜 太陽能電池 | ||
1.一種CIGS基薄膜太陽能電池，其特征在于：包括襯底，覆蓋襯底表面的背電極層，覆蓋背電極層的具有黃銅礦結(jié)構(gòu)的光吸收層，覆蓋光吸收層的CdS：Mg緩沖層，覆蓋CdS：Mg緩沖層的本征氧化鋅膜層，覆蓋本征氧化鋅膜層的摻雜氧化鋅膜層，覆蓋摻雜氧化鋅層的透明導(dǎo)電窗口層；所述摻雜氧化鋅膜層電阻率不小于0.08Ωcm，同時不大于95Ωcm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種CIGS基薄膜太陽能電池，其特征在于：摻雜氧化鋅膜層為氧化鋅摻雜有B、Al、Ga或In中的至少一種元素；摻雜氧化鋅膜層的電阻率小于本征氧化鋅膜層的電阻率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種CIGS基薄膜太陽能電池，其特征在于：襯底為玻璃、聚酰亞胺板、鋁薄板或不銹鋼板中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種CIGS基薄膜太陽能電池，其特征在于：背電極層為Mo層、Ti層、Cr層或Cu層中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種CIGS基薄膜太陽能電池，其特征在于：光吸收層為銅銦鎵硒、銅銦鎵硫、銅銦鎵硒硫、銅銦鋁硒、銅銦鋁硫、銅銦硫或銅銦硒中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種CIGS基薄膜太陽能電池，其特征在于：透明導(dǎo)電窗口層選用ITO、AZO、GZO、IZO、FTO、ATO透明導(dǎo)電膜中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種CIGS基薄膜太陽能電池，其特征在于：CdS：Mg緩沖層的厚度小于40nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種CIGS基薄膜太陽能電池，其特征在于：CdS：Mg緩沖層的厚度小于20nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種CIGS基薄膜太陽能電池，其特征在于，還包括：在透明導(dǎo)電窗口層上沉積的減反射膜層；在襯底和背電極層之間插入的一層阻擋襯底元素擴(kuò)散的阻擋層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
