[實用新型]雙向總線系統

有效

• 申請號: 201520130563.2
• 申請日: 2015-03-06
• 公開（公告）號: CN204833255U
• 公開（公告）日: 2015-12-02
• 發明（設計）人: R.J.比斯庫普
• 申請（專利權）人: 源捷公司
• 主分類號: G06F13/40
• 分類號: G06F13/40
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 丁藝

1.一種雙向總線系統，其特征在于包括：

兩線雙向總線；

總線主機，其被耦接至所述兩線雙向總線；

至少一個從節點，其被耦接至所述兩線雙向總線，所述至少一個從節點進一步包括：

第一電流隔離器，其被耦接至從節點微控制器，其中所述第一電流隔離器將從所述從節點微控制器接收到的微控制器生成的數字數據發送至所述兩線雙向總線；

第二電流隔離器，其被耦接至所述從節點微控制器，其中所述第二電流隔離器從所述兩線雙向總線接收總線主機數字數據，并將所述總線主機數字數據發送至所述從節點微控制器；

從節點電源，其被耦接至所述從節點微控制器并被耦接至所述第二電流隔離器，其中，所述從節點電源與所述兩線雙向總線電流隔離；以及

電源開關，其被耦接至所述從節點電源，所述電源開關進一步包括：

第一晶體管，其中所述第一晶體管在第一晶體管第一狀態下將所述從節點電源耦接至所述從節點微控制器并耦接至所述第二電流隔離器，并且其中，所述第一晶體管在第一晶體管第二狀態下將所述從節點電源與所述從節點微控制器并與所述第二電流隔離器斷開耦接；以及

電容器，其被連接至所述第一晶體管，其中，當所述電容器充電時，所述電容器使所述第一晶體管保持在所述第一晶體管第二狀態，并且其中，當所述電容器放電時，所述電容器使所述第一晶體管轉變至所述第一晶體管第一狀態。

2.如權利要求1所述的雙向總線系統，其特征在于所述第一電流隔離器包括第一光隔離器，并且其中，所述第二電流隔離器包括第二光隔離器。

3.如權利要求1或2所述的雙向總線系統，其特征在于進一步包括穩壓器，其被插在所述從節點電源和所述從節點微控制器之間，并被插在所述從節點電源和所述第二電流隔離器之間。

4.如權利要求3所述的雙向總線系統，其特征在于所述穩壓器被插在所述第一晶體管和所述從節點微控制器之間，并被插在所述第一晶體管和所述第二電流隔離器之間。

5.如權利要求1或2所述的雙向總線系統，其特征在于所述第一晶體管包括p型MOSFET晶體管，其中，所述第一晶體管第一狀態對應于所述p型MOSFET晶體管偏置成接通，并且其中，所述第一晶體管第二狀態對應于所述p型MOSFET晶體管關斷。

6.如權利要求5所述的雙向總線系統，其特征在于當所述電容器放電時，所述電容器將所述p型MOSFET晶體管的柵極電壓降低，并且其中，當所述電容器充電時，所述電容器使所述p型MOSFET晶體管的所述柵極電壓升高。

7.如權利要求1或2所述的雙向總線系統，其特征在于當所述從節點電源與所述從節點微控制器并與所述第二電流隔離器斷開耦接時，通過所述第二電流隔離器接收所述總線主機數字數據導致所述電容器放電，其中所述電容器放電使所述第一晶體管從所述第一晶體管第二狀態轉變至所述第一晶體管第一狀態，從而將所述從節點電源耦接至所述從節點微控制器并且耦接至所述第二電流隔離器。

8.如權利要求1所述的雙向總線系統，其特征在于進一步包括被連接至所述第二電流隔離器的第二晶體管，其中處于第二晶體管第一狀態的所述第二晶體管將所述總線主機數字數據傳送至所述從節點微控制器，并且其中處于第二晶體管第二狀態的所述第二晶體管阻止對應于所述第二電流隔離器的集電極節點的漏電或電負載。

9.如權利要求1所述的雙向總線系統，其特征在于進一步包括：

二極管，其被插在所述第二電流隔離器和所述電容器之間，以及

第二晶體管，其中，處于第二晶體管第一狀態的所述第二晶體管反向偏置所述二極管，使所述電容器保持放電，并且將所述電容器與所述第二電流隔離器的集電極節點隔離，并且其中，處于所述第二晶體管第二狀態下的所述第二晶體管使所述電容器充電并且使所述第一晶體管轉變至所述第一晶體管第二狀態。

10.如權利要求8或9所述的雙向總線系統，其特征在于當所述第一晶體管從所述第一晶體管第二狀態轉變至所述第一晶體管第一狀態時，所述從節點微控制器被配置成確定是否需要所述從節點繼續操作，其中如果所述從節點微控制器確定需要所述從節點繼續操作，則所述從節點微控制器被配置成激活電源保持命令，其中，激活所述電源保持命令將所述第二晶體管置于所述第二晶體管第一狀態。