[實用新型]用于半導體設備的排氣裝置有效
| 申請號: | 201520038063.6 | 申請日: | 2015-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN204332924U | 公開(公告)日: | 2015-05-13 |
| 發明(設計)人: | 崔相玉;魏明德;金惠東;金度亨 | 申請(專利權)人: | 徐州同鑫光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 徐州支點知識產權代理事務所(普通合伙) 32244 | 代理人: | 張榮亮 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 半導體設備 排氣裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種排氣裝置,特別涉及一種用于半導體設備的排氣裝置,屬于半導體設備技術領域。
背景技術
現有半導體元件是通過各種工藝對晶片加工制造而成的,為了進行各種工藝需要將生產設備與外界環境隔離,形成密閉的內部生產空間,這種空間即為工藝腔體(process?chamber)。加工時,工藝腔體內部需要形成潔凈的高真空狀態,但隨著工藝的進行,腔體內部會生成各種雜質,為了保證生產中的晶體不受污染,需將各種雜質通過排氣的方式完全排出。
例如在蝕刻(etching)設備上進行蝕刻時,先使工藝腔體內形成高真空狀態,待內部形成等離子體后,向腔體內注入所需的工藝氣體,進而將晶體上的特定區域切除。隨著工藝的進行,腔體內未反應的工藝氣體、反應副產物、顆粒、聚合物等各種雜質富集,如不能及時排出,會污染晶片,導致產品良率降低。
因此,為將工藝過程中產生的各種雜質污染物排出,需在工藝腔體內安裝結構如圖1所示的真空排氣裝置,該裝置包括連接在工藝腔體1上的壓力控制器2和通往外部的排氣管3,排氣管3上裝有高、低真空泵和控制閥門4,使用時,通過低真空泵6進行第一次抽氣使排氣管3的壓力降到一定的程度后,打開靠近低真空泵6的閥門4,再通過高真空泵5進行二次抽氣,然后打開靠近壓力控制器2的閥門4,通過上述一連串的動作將雜質污染物從工藝腔體1內完全排出。
使用中發現,雜質污染物經排氣管3排出的過程中,會有部分雜質附著在排氣管3的內壁上,特別是對于非直筒型排氣管,如本身存在彎曲部分的排氣管,由于污染物不能順暢通過排氣管的曲折部位,很容易在管道內壁上沉積,導致排氣裝置抽氣能力下降,影響工藝的順暢進行,嚴重者會導致設備頻繁的停機,使生產效率下降;另外若雜質污染物不能完全的清除,會使基板受到污染,進而導致產品良率下降。
發明內容
針對上述現有技術存在的問題,本實用新型提供一種用于半導體設備的排氣裝置,可使排氣管內的雜質污染物順暢的排出,有效防止污染物堆積或吸附在排氣管內壁上,保障產品良率及設備的正常運行。
為了實現上述目的,本實用新型采用的一種用于半導體設備的排氣裝置,包括可連接在工藝腔體上的壓力控制器,壓力控制器的另一端裝有排氣管,排氣管上裝有用于抽氣的高真空泵和低真空泵,高真空泵安裝在壓力控制器和低真空泵之間,所述的高真空泵的一側、低真空泵的一側分別設有用于控制氣體流動的閥門,還包括安裝在排氣管內的旋轉力施加裝置;
所述的旋轉力施加裝置包括可隨著排氣管內氣流產生自旋轉的螺旋扇,螺旋扇的外側設有可安裝在排氣管上的裝置外殼,螺旋扇通過支撐桿固定在裝置外殼內;
所述的旋轉力施加裝置安裝在排氣管內彎曲部的兩側。
進一步的,螺旋扇固定在安裝軸上,安裝軸固定在支撐桿上,所述的安裝軸可在支撐桿上作自旋轉運動。
進一步的,支撐桿的兩端設有連接螺紋,裝置外殼上設有與連接螺紋配合的螺紋,支撐桿與裝置外殼通過螺紋連接。
進一步的,旋轉力施加裝置安裝在彎曲部的兩側,每側安裝一個。
進一步的,裝置外殼為環狀,裝置外殼通過連接件安裝在排氣管上。
與傳統的排氣裝置相比,本實用新型的裝置通過在排氣管內安裝旋轉力施加裝置,當氣管內有氣流時,帶動螺旋扇自旋轉,流經螺旋扇的氣流受到螺旋力的作用,進而形成更強的氣流,將排氣管內的雜質污染物排出;同時螺旋扇能將原有的直線氣流轉變成螺旋氣流,氣流流經范圍更廣,雜質清除面積大。本實用新型的裝置能有效抑制并防止污染物附著在排氣管內壁上,避免造成雜質富集,并通過持續穩定、大范圍的排氣壓力,使污染物更徹底的被排出,保證了生產效率及產品良率。
附圖說明
圖1為現有的真空排氣裝置的結構示意圖;
圖2為本實用新型的結構示意圖;
圖3為圖2的局部放大圖及排氣管內部氣流運動示意圖;
圖4為本實用新型中旋轉力施加裝置的結構示意圖;
圖5為圖4中內部結構示意圖;
圖中:1、工藝腔體,2、壓力控制器,3、排氣管,3A、彎曲部,4、閥門,5、高真空泵,6、低真空泵,7、旋轉力施加裝置,8、螺旋扇,9、支撐桿,9A、連接螺紋,10、裝置外殼,11、安裝軸。
具體實施方式
下面結合附圖對本實用新型作進一步說明。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





