[實用新型]低溫保護電路和電子裝置

有效

• 申請號: 201520022031.7
• 申請日: 2015-01-13
• 公開（公告）號: CN204464953U
• 公開（公告）日: 2015-07-08
• 發明（設計）人: 劉興遠;唐姝旻;孫超群;沈錦祥
• 申請（專利權）人: 生迪光電科技股份有限公司
• 主分類號: H02H5/04
• 分類號: H02H5/04
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊文娟;黃健

1.一種低溫保護電路，其特征在于，包括：熱敏電阻元件、電壓比較器，以及設置在源端輸入電壓和直流-直流DC-DC電壓轉換芯片之間的開關管；

所述熱敏電阻元件與所述電壓比較器的同相輸入端連接，用于對驅動電壓進行采樣以獲得采樣電壓，并將所述采樣電壓輸入到所述電壓比較器的同相輸入端，所述電壓比較器的反相輸入端連接參考電壓；

所述開關管分別與所述電壓比較器的輸出端、所述源端輸入電壓以及所述DC-DC電壓轉換芯片連接；

所述電壓比較器用于通過比較所述采樣電壓與所述參考電壓的大小，來輸出輸出電壓以控制所述開關管的導通或截止。

2.根據權利要求1所述的低溫保護電路，其特征在于，所述電壓比較器具體用于在環境溫度小于或等于欲保護低溫溫度點，所述采樣電壓大于所述參考電壓時，輸出第一輸出電壓，所述第一輸出電壓與所述源端輸入電壓之間的電壓差值處于所述開關管的門限電壓范圍之內，所述開關管截止；

所述電壓比較器還用于在環境溫度大于所述欲保護低溫溫度點，所述采樣電壓小于所述參考電壓時，輸出第二輸出電壓，所述第二輸出電壓與所述源端輸入電壓的電壓差值處于所述開關管的門限電壓范圍之外，所述開關管導通。

3.根據權利要求1所述的低溫保護電路，其特征在于，所述開關管包括場效應MOS管，所述MOS管的柵極與所述電壓比較器的輸出端連接，所述MOS管的源極與所述源端輸入電壓連接，所述MOS管的漏極與所述DC-DC電壓轉換芯片連接。

4.根據權利要求1所述的低溫保護電路，其特征在于，還包括：

第一電阻，所述第一電阻的一端與所述驅動電壓連接，所述第一電阻的另一端與所述熱敏電阻元件的一端連接，所述熱敏電阻元件的另一端接地；所述熱敏電阻元件的一端與所述電壓比較器的同相輸入端連接。

5.根據權利要求1所述的低溫保護電路，其特征在于，還包括：

第二電阻和第三電阻，所述第二電阻的一端與預設電壓連接，所述第二電阻的另一端與所述第三電阻的一端連接，所述第三電阻的另一端接地；所述第三電阻的一端與所述電壓比較器的反相輸入端連接。

6.根據權利要求1所述的低溫保護電路，其特征在于，所述電壓比較器為推挽輸出結構。

7.根據權利要求1所述的低溫保護電路，其特征在于，所述電壓比較器為開漏輸出結構，所述低溫保護電路還包括第四電阻；

所述第四電阻的一端連接開關管控制電壓，所述第四電阻的另一端連接所述電壓比較器的輸出端。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的低溫保護電路，其特征在于，還包括：

至少一個第一濾波電容，所述至少一個第一濾波電容并聯后的一端與所述源端輸入電壓連接，另一端接地；

所述至少一個第一濾波電容，用于濾除所述源端輸入電壓中的紋波。

9.根據權利要求1至7中任一項所述的低溫保護電路，其特征在于，還包括：

至少一個第二濾波電容，所述至少一個第二濾波電容并聯后的一端與所述DC-DC電壓轉換芯片的輸入端連接，另一端接地；

所述至少一個第二濾波電容，用于濾除所述開關管導通時所述開關管輸入到所述DC-DC電壓轉換芯片的電壓中的紋波。

10.根據權利要求1至7中任一項所述的低溫保護電路，其特征在于，還包括：

至少一個第三濾波電容，所述至少一個第三濾波電容并聯后的一端與所述電壓比較器的同相輸入端連接，另一端接地；

所述至少一個第三濾波電容，用于濾除所述采樣電壓中的紋波。

11.一種電子裝置，其特征在于，包括如權利要求1至10中任一項所述的低溫保護電路，以及DC-DC電壓轉換芯片、負載電子器件、源端輸入電壓和驅動電壓；

所述源端輸入電壓與所述低溫保護電路中的所述開關管連接；

所述驅動電壓與所述低溫保護電路中的所述熱敏電阻元件連接；

所述DC-DC電壓轉換芯片的輸入端與所述低溫保護電路中的所述開關管連接，所述DC-DC電壓轉換芯片的輸出端與所述負載電子器件連接。