[發明專利]半導體結構的形成方法

有效

• 申請號: 201511025334.5
• 申請日: 2015-12-30
• 公開（公告）號: CN106935635B
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 周飛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L29/10
• 分類號: H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 11227 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

形成半導體基底，所述半導體基底包括襯底、凸出于所述襯底的鰭部，所述鰭部的頂部和側壁表面形成有屏蔽層；

采用含氟氣體去除所述屏蔽層；

去除所述屏蔽層之后，對所述鰭部進行表面處理以去除所述鰭部表面的含氟副產物，所述鰭部的材料為硅，所述含氟副產物與所述鰭部表面形成硅-氟鍵，對所述鰭部進行表面處理的步驟包括：對所述鰭部進行光照工藝，使所述硅-氟鍵斷開；進行所述光照工藝之后，對所述鰭部表面進行氧化處理，在所述鰭部表面形成氧化層；去除所述氧化層；

形成橫跨所述鰭部且覆蓋所述鰭部的部分頂部表面和側壁表面的柵極結構。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述屏蔽層的材料為氧化硅或氮氧化硅。

3.如權利要求1或2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，去除所述屏蔽層的工藝為SiCoNi刻蝕工藝。

4.如權利要求3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述SiCoNi刻蝕工藝的步驟包括：

以三氟化氮和氨氣作為反應氣體以生成刻蝕氣體；

通過刻蝕氣體刻蝕所述屏蔽層，形成含氟副產物；

進行退火工藝，將所述含氟副產物升華分解為氣態產物；

通過抽氣方式去除所述氣態產物。

5.如權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述SiCoNi刻蝕工藝的工藝參數包括：三氟化氮的氣體流量為20sccm至200sccm，氨氣的氣體流量為200sccm至500sccm，腔室壓強為2Torr至10Torr，工藝時間為20S至100S，所述退火工藝的溫度為100℃至200℃。

6.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用紫外線對所述鰭部進行光照工藝，光照強度為1mW/cm²至200mW/cm²，工藝溫度為350℃至650℃，工藝時間為20min至200min。

7.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，對所述鰭部進行氧化處理的工藝為濕法氧化工藝或干法氧化工藝。

8.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，通過臭氧對所述鰭部進行濕法氧化工藝，工藝時間為60S至150S。

9.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，對所述鰭部進行氧化處理的工藝為干法氧化工藝，反應氣體為氧氣，載氣為氮氣，氧氣與氮氣的流量之比為1：60至1：20，工藝時間為10S至100S，工藝溫度為650℃至950℃，腔室壓強為30Torr至200Torr。

10.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述氧化層的材料為氧化硅。

11.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，去除所述氧化層的工藝為濕法刻蝕工藝。

12.如權利要求11所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝所采用的溶液為氫氟酸。

13.如權利要求12所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述氫氟酸的體積濃度為100：1至1000：1。

14.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述柵極結構為偽柵結構。

15.如權利要求14所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述偽柵結構的步驟包括：

形成橫跨所述鰭部且覆蓋所述鰭部的部分頂部表面和側壁表面的偽柵氧化層；

在所述偽柵氧化層表面形成偽柵電極層。