[發(fā)明專利]一種新型高重頻短脈沖LD激光器及其工作過程有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201511008740.0 | 申請日: | 2015-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN105514796B | 公開(公告)日: | 2019-01-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 鄭強;孫劍;徐飛;劉倩玉 | 申請(專利權)人: | 西安交通大學 |
| 主分類號: | H01S5/042 | 分類號: | H01S5/042 |
| 代理公司: | 西安智大知識產權代理事務所 61215 | 代理人: | 何會俠 |
| 地址: | 710049*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 高重頻短 脈沖 ld 激光器 及其 工作 過程 | ||
一種新型高重頻短脈沖LD激光器及其工作過程,該激光器包括兩路大小相等的正負高壓電源、兩路脈沖信號、兩個受脈沖信號控制的高速模擬開關、兩個鉗位二極管、兩個儲能元件、兩個去耦電容、兩個充電限流電阻、一個放電限流電阻以及一個激光二極管;其工作過程為:設控制信號頻率均為f,兩路信號相位差為π;在控制信號作用下,兩個儲能元件交替放電,放電間隔T/2,使激光管發(fā)射頻率為2f的激光脈沖本發(fā)明在脈沖功率不變的前提下,頻率實現了加倍提高;采用多個開關、正負高壓電源以及鉗位二極管,避免了兩個充放電電路間的互相影響;與傳統(tǒng)方案相比,所需元件性能指標基本不變,易于實現。
技術領域
本發(fā)明屬于激光發(fā)射技術領域,具體涉及一種新型高重頻短脈沖LD激光器及其工作過程。
背景技術
半導體激光器(Semiconductor Laser),也稱作激光二極管(Laser Diode),簡稱LD,是利用半導體中的電子躍遷,引起光子受激發(fā)射,而產生的光振蕩和光放大等器件的總稱。
半導體激光器與其它類型的激光器相比,具有以下優(yōu)點:轉換的效率高;頻率范圍廣;調制方便;驅動電源電壓比較低。
半導體激光器在很多領域都得到廣泛應用。半導體激光器廣泛應用在激光通訊、激光制導跟蹤、激光雷達、激光測距、激光武器模擬、激光瞄準與告警、激光探潛、激光制自武器等軍事領域;在工業(yè)生產過程中,大功率半導體激光器可用于激光打孔、切割、焊接、釬焊、劃片、打標、激光材料表面硬化處理、激光燒結、熱壓成型等方面;此外,半導體激光器在礦業(yè)、建筑業(yè)、基礎學科研究、宇航等方面也有廣泛的應用。半導體激光器的功率與電流和溫度有關。如果要提高半導體激光器的性能,主要有兩個途徑:一是采用新的半導體技術,二是提高半導體激光電源的性能指標。
半導體激光電源是半導體激光器的重要組成部分,它隨著激光器的發(fā)展而不斷發(fā)展。固體激光器最初采用直流電源經過限流電阻給儲能電容器充電,即RC充電方式。其缺點是只適用于低頻率及電源充電效率不高的場合。隨著新型激光裝置的不斷發(fā)展,對激光器提出了高效率、高重復頻率、低成本和高可靠性的要求。LC恒流充電電路能夠滿足在低頻大能量工作條件下的激光裝置,其特點是以恒定電流給儲能電容器充電,既提高了充電效率又提高了電源穩(wěn)定性。為了滿足高重復頻率的激光裝置,研制出了直流LC諧振充電電路。它有效地解決了激光電源在高頻下工作的充電效率問題,缺點是體積和重量不能明顯地減少。為了進一步減小體積和重量并提高充電效率,人們又把開關電源技術引入激光器電源中。隨著電子技術的發(fā)展,電子開關的電路從快速晶體管,到自行關斷的功率場效應晶體管和絕緣柵雙極晶體管電路,激光電源的性能也不斷提高,適應領域也不斷擴大。
發(fā)明內容
針對傳統(tǒng)激光脈沖電路頻率和功率難以同時提升,脈寬不易進一步降低的問題,本發(fā)明的目的在于提供一種新型高重頻短脈沖LD激光器及其工作過程,本發(fā)明在傳統(tǒng)RC充電電路的基礎上,采用兩路電源在兩路信號下分別供電,并采用了高速模擬開關,例如高速開關mos管等,在保證原有方案功率不變的前提下,既能實現頻率加倍,又能降低脈寬和上升沿時間,從而提高了激光脈沖發(fā)射電路的性能。
為了達到上述目的,本發(fā)明是通過以下技術方案來實現的:
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