[發(fā)明專利]包括遞變區(qū)域的半導(dǎo)體發(fā)光器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510975027.7
• 申請(qǐng)日: 2009-06-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105355746B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: P.N.格里洛特;R.I.阿爾達(dá)茨;E.I.陳;S.薩利姆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 飛利浦拉米爾德斯照明設(shè)備有限責(zé)任公司;皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/30
• 分類號(hào): H01L33/30
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 于非凡;景軍平

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括在n型區(qū)域和AlInP p型區(qū)域之間的III-P發(fā)光層；

GaP窗口層；以及

在AlInP p型區(qū)域和GaP窗口層之間的遞變區(qū)域，其厚度為至少150nm，使得在遞變區(qū)域的厚度上Al原子被Ga原子取代，遞變區(qū)域包括具有第一遞變分布的第一部分和具有第二遞變分布的第二部分，第二部分比第一部分更靠近GaP窗口層，與第一部分相比第二部分中的Al組份以更快的速率被Ga組份取代，并且遞變區(qū)域中的Al組份從第一部分至第二部分逐漸降低。

2.權(quán)利要求1的器件，其中遞變區(qū)域中Al的組份從p型區(qū)域中的組份遞變到零。

3.權(quán)利要求1的器件，其中AlInP p型區(qū)域包括與遞變區(qū)域直接接觸的(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP層，其中x≥0.4。

4.權(quán)利要求1的器件，其中AlInP p型區(qū)域包括與遞變區(qū)域直接接觸的AlInP層。

5.權(quán)利要求1的器件，其中遞變區(qū)域?yàn)榈谝贿f變區(qū)域，該器件進(jìn)一步包括：

蝕刻停止層；和

布置在蝕刻停止層和n型區(qū)域之間的第二遞變區(qū)域，其中Al的組份在第二遞變區(qū)域中是遞變的，并且其中第二遞變區(qū)域中Al的組份從零遞變到n型區(qū)域中的組份。

6.權(quán)利要求5的器件，其中與第二遞變區(qū)域直接接觸的所述蝕刻停止層為InGaP，并且與第二遞變區(qū)域直接接觸的n型層為(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP，其中x≥0.4。

7.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括布置在n型區(qū)域和p型區(qū)域之間的III-P發(fā)光層；

GaP窗口層；以及

布置在p型區(qū)域和GaP窗口層之間的遞變區(qū)域，該遞變區(qū)域具有Al的遞變組份，Al的遞變組份包括以除了單一組份臺(tái)階以外的方式實(shí)現(xiàn)組份改變的結(jié)構(gòu)，該遞變區(qū)域包括具有第一遞變分布的第一部分和具有第二遞變分布的第二部分，所述第一部分和所述第二部分包括分別的遞變帶隙分布，第二部分比第一部分更靠近GaP窗口層，與第一部分相比第二部分中的Al組份以更快的速率變化，并且該遞變區(qū)域中的Al組份從第一部分至第二部分逐漸降低。

8.權(quán)利要求7的器件，其中遞變區(qū)域具有至少100nm的厚度。

9.權(quán)利要求7的器件，其中遞變區(qū)域具有至少300nm的厚度。

10.權(quán)利要求7的器件，其中：

第一部分緊鄰p型區(qū)域且第二部分緊鄰窗口層；

第一部分中的Al組份從p型區(qū)域中的Al組份遞變到發(fā)光層中的Al組份；以及

第二部分中的Al組份從發(fā)光層中的Al組份遞變到比發(fā)光層中的Al組份更少的Al組份。

11.權(quán)利要求10的器件，其中第二部分中的Al組份從發(fā)光層中的Al組份遞變到零。

12.權(quán)利要求7的器件，其中第一部分厚于第二部分。

13.權(quán)利要求7的器件，其中與第一部分相比，第二部分的表示作為位置的函數(shù)的鋁組份的線的斜度更陡峭。

14.權(quán)利要求7的器件，其中：

第一部分對(duì)于由發(fā)光層發(fā)射的光是基本上透明的；以及

第二部分基本上吸收由發(fā)光層發(fā)射的光。