[發明專利]改善石墨膜的平坦性的方法、以及石墨膜及其制造方法

在審

• 申請號: 201510971545.1
• 申請日: 2011-05-12
• 公開（公告）號: CN105565301A
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發明（設計）人: 太田雄介;稻田敬;三代真琴;稻田卓;西川泰司
• 申請（專利權）人: 株式會社鐘化
• 主分類號: C01B31/04
• 分類號: C01B31/04
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 胡曼

技術領域

本發明涉及平坦性得到改善的石墨膜及其制造方法、以及石墨膜的平 坦性改善方法。

背景技術

散熱構件被應用于搭載于計算機等各種電子或電氣儀器的半導體元件 及其它發熱構件等。散熱構件中，在應用于大型制品時，石墨膜優選以卷 成輥狀的狀態的高分子膜為原料的長條且大面積的石墨膜，為了制造這樣 的石墨膜進行了研究。

例如，提出了將寬250mm×長30m的高分子膜卷繞于外徑150mm的碳質圓 筒狀內芯來進行熱處理的方法，可獲得能容易地延長圓筒狀的歷程的長條 且大面積的石墨膜(專利文獻1)。但是，該現有方法中，會如圖1所示產生 大的松弛度Zgs，無法抑制該松弛而制成平坦性優良的石墨膜。該現有的石 墨膜例如在進行與其它片材的層壓時(參照圖2)容易產生缺陷，在卷繞于支 管時(參照圖3)等可能會發生不良情況。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2006-327907號公報

發明內容

發明所要解決的技術問題

本發明的目的是制造平坦性優良的石墨膜。

解決技術問題所采用的技術方案

即，本發明涉及以下技術內容。

(1)石墨膜的制造方法，其特征在于，包括平坦性矯正處理工序，該工 序中，一邊對原料石墨膜施加壓力，一邊進行熱處理直至2000℃以上。

(2)上述第(1)項所述的石墨膜的制造方法，其特征在于，平坦性矯正 處理工序中使用的原料石墨膜是經歷過至少一次低于2000℃的溫度條件的 原料石墨膜。

(3)上述第(1)項所述的石墨膜的制造方法，其特征在于，碳化工序和 平坦性矯正處理工序包含在一連串的石墨制造工序中。

(4)上述第(1)～(3)項中任一項所述的石墨膜的制造方法，其特征在 于，原料石墨膜的面方向的熱擴散率為0.15cm²/s以上。

(5)上述第(1)～(4)項中任一項所述的石墨膜的制造方法，其特征在 于，實施所述平坦性矯正處理工序，使JISC2151中記載的松弛度評價中的 石墨膜的松弛度Zgs除以石墨膜的寬度Ugs而得的值Zgs/Ugs改善至0.2以 下。

(6)上述第(1)～(5)項中任一項所述的石墨膜的制造方法，其特征在 于，所述平坦性矯正處理工序中，在將原料石墨膜卷繞于內芯的狀態下進 行熱處理。

(7)上述第(1)～(6)項中任一項所述的石墨膜的制造方法，其特征在 于，所述內芯的直徑為20mm以上。

(8)上述第(1)～(7)項中任一項所述的石墨膜的制造方法，其特征在 于，所述內芯的熱膨脹系數為0.3×10^-6/K以上7.5×10^-6/K以下。

(9)上述第(1)～(8)項中任一項所述的石墨膜的制造方法，其特征在 于，在所述平坦性矯正處理工序之前包括將原料石墨膜卷繞于內芯的卷繞 工序。

(10)上述第(9)項所述的石墨膜的制造方法，其特征在于，卷繞工序中， 以10N·m/m以上的卷纏強度卷纏原料石墨膜。

(11)石墨膜，該石墨膜是將碳化的聚酰亞胺膜在卷繞成輥狀的狀態下 石墨化而得的石墨膜，其特征在于，面方向的熱擴散率為5.0cm²/s以上，厚 度為7μm以上120μm以下，寬度Ugs為100mm以上，面積為5m²以上，而且JIS C2151中記載的松弛度評價中的松弛度Zgs除以寬度Ugs而得的值Zgs/Ugs為 0.2以下。

(12)石墨膜的平坦性矯正方法，其特征在于，一邊對原料石墨膜施加 壓力，一邊進行熱處理直至2000℃以上。

發明的效果

利用本發明的石墨膜的制造方法，可獲得平坦性優良的石墨膜。

附圖的簡單說明

圖1是通過現有的制法制得的石墨膜的松弛狀態。

圖2是貼合褶皺的概觀(日文：概観)照片。

圖3是石墨膜的卷繞偏差缺陷的概觀照片。

圖4是對片狀的原料石墨膜的表面施加負荷的方法。

圖5是利用內芯的熱膨脹將原料石墨膜撐開的方法。

圖6是卷繞工序的一例。

圖7是本發明的碳化處理中使用的夾具。