[發明專利]物聯網末端低功耗節點射頻供能裝置

在審

• 申請號: 201510947117.5
• 申請日: 2015-12-17
• 公開（公告）號: CN105406612A
• 公開（公告）日: 2016-03-16
• 發明（設計）人: 馬禮;張曉惠;馬東超;宋麗華;張永梅;杜春來
• 申請（專利權）人: 北方工業大學
• 主分類號: H02J50/20
• 分類號: H02J50/20;H02J50/27;H04W88/02;H04W84/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種物聯網末端低功耗節點射頻供能裝置，其特征在于，包括：射頻匹配電路、倍壓整流電路及穩壓電路；所述射頻匹配電路用于匹配環境中存在的射頻信號；所述倍壓整流電路用于將匹配后的射頻信號轉換為直流電源，所述穩壓電路用于對所述直流電源進行穩壓；

所述射頻匹配電路采用L型匹配電路，由電容C1和電感L1組成，電容C1與電感L1串聯，電容C1用于連接頻率源，電感L1用于接地。

所述倍壓整流電路包括肖恩特二極管、電容C和NMOS管，用于通過所述肖恩特二極管的導通對所述電容C充放電，供后級電容不斷累積電荷以升高電壓。

2.根據權利要求1所述的物聯網末端低功耗節點射頻供能裝置，其特征在于，所述穩壓電路由差分放大器和源級跟隨器組成兩極放大器，用于形成反饋電路，使電路處于深度反饋狀態，將基準參考電壓與輸出電壓進行比較，最終使輸出電壓與基準源參考電壓相同。

3.根據權利要求2所述的物聯網末端低功耗節點射頻供能裝置，其特征在于，所述穩壓電路包括啟動電路、基準核心電路、差放和后級驅動；

所述啟動電路與所述基準核心電路電連接，用于使工作在零狀態的電路轉入正常工作狀態；

所述基準核心電路與所述差放和后級驅動連接，用于基于CMOS管的亞閾值特性進行零溫度系數的基準電壓輸出。

4.根據權利要求3所述的物聯網末端低功耗節點射頻供能裝置，其特征在于，所述啟動電路包括：NMOS管和PMOS管；其中，MOSFET1，MOSFET2和MOSFET3用于保證電路工作在正常狀態，當電路正常工作，MOSFET1和MOSFET2的柵極電壓為低電壓，當反相輸入電壓，MOSFET3管的柵極電壓為高壓，MOSFET3關閉。

所述基準核心電路包括：NMOS管和PMOS管；其中，MOSFET5，MOSFET7，MOSFET6，MOSFET8，MOSFET4，MOSFET9以及電阻組成PTAT電流源；其中，MOSFET5，MOSFET6，MOSFET7，MOSFET8組成的電路用于提高電源抑制比。

所述差放和后級驅動包括：NMOS管和PMO管；其中，MOSFET12，MOSFET13組成串聯電阻，用于將輸出電壓取樣輸入到MOSFET10管的柵極，差放包括PMOS和NMOS有源負載；

還包括基準電路，所述基準電路是由MOSFET10，MOSFET11，MOSFET12組成。

5.根據權利要求1所述的物聯網末端低功耗節點射頻供能裝置，其特征在于，將所述T型匹配電路替換為L型匹配電路、Π型匹配電路、混合型匹配電路、單分支匹配電路和雙分支匹配電路中的任意一種匹配電路。

6.根據權利要求1所述的物聯網末端低功耗節點射頻供能裝置，其特征在于，將所述倍壓整流電路中的二級管替換為MOS管。