[發明專利]橫向耦合多模單片濾波器

有效

• 申請號: 201510920735.0
• 申請日: 2015-12-11
• 公開（公告）號: CN105703737B
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 巖城匡郁;松田隆志
• 申請（專利權）人: 太陽誘電株式會社
• 主分類號: H03H9/54
• 分類號: H03H9/54
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

橫向耦合多模單片濾波器。一種橫向耦合多模單片濾波器包括：襯底；壓電膜，該壓電膜形成在所述襯底上；地電極，該地電極形成在所述壓電膜的第一表面上；以及多個信號電極，所述多個信號電極形成在所述壓電膜的第二表面上并且彼此并聯布置，所述第二表面與所述第一表面相反，所述多個信號電極中的每一個包括第一電極指和第二電極指，其中，所述第一電極指和所述第二電極指具有不同的電位；所述多個信號電極中的相鄰信號電極彼此相距一定距離，所述距離大于所述第一電極指和所述第二電極指的節距。

技術領域

本發明的特定方面涉及橫向耦合多模單片濾波器。

背景技術

高頻通信系統使用例如2GHz或更大的高頻帶來執行高速且大容量通信。作為用于高頻器件的濾波器，已經知道使用具有高聲速的壓電膜的橫向耦合多模單片濾波器。橫向耦合多模單片濾波器具有被設計為具有跨越壓電膜形成的地電極和信號電極的結構。信號電極包括如在例如日本專利申請公開號2009-188484和2009-188599中公開的施加有信號的兩個或更多個電極。

然而，信號電極的縱橫比在濾波器的輸入阻抗和輸出阻抗被調節時可能增加。信號電極的縱橫比的增加導致應力集中于壓電膜并且可能導致破裂等。另選地，聲波可能在信號電極的橫向方向上泄露。

發明內容

根據本發明的一個方面，提供了一種橫向耦合多模單片濾波器，該橫向耦合多模單片濾波器包括：襯底；壓電膜，該壓電膜形成在所述襯底上；地電極，該地電極形成在所述壓電膜的第一表面上；以及多個信號電極，所述多個信號電極形成在所述壓電膜的第二表面上并且彼此并聯布置，所述第二表面與所述第一表面相反，所述多個信號電極中的每一個包括第一電極指和第二電極指，其中，所述第一電極指和所述第二電極指具有不同的電位；所述多個信號電極中的相鄰信號電極彼此相距一定距離，所述距離大于所述第一電極指和所述第二電極指的節距。

根據本發明的另一方面，提供了一種橫向耦合多模單片濾波器，該橫向耦合多模單片濾波器包括：襯底；壓電膜，該壓電膜形成在所述襯底上；地電極，該地電極形成在所述壓電膜的第一表面上；以及信號電極，該信號電極形成在所述壓電膜的第二表面上并且包括第一電極指和第二電極指，所述第二表面與所述第一表面相反，所述第二電極指具有與所述第一電極指的電位不同的電位，其中，所述壓電膜在所述第一電極指和所述第二電極指的布置方向上在所述信號電極的外側的至少一部分被去除。

根據本發明的另一方面，提供了一種橫向耦合多模單片濾波器，該橫向耦合多模單片濾波器包括：襯底；壓電膜，該壓電膜形成在所述襯底上；地電極，該地電極形成在所述壓電膜的第一表面上；信號電極，該信號電極形成在所述壓電膜的第二表面上并且包括第一電極指和第二電極指，所述第二表面與所述第一表面相反，所述第二電極指具有與所述第一電極指的電位不同的電位；以及介電膜，該介電膜在所述第一電極指和所述第二電極指的布置方向上形成在在所述信號電極的外側的所述壓電膜中并且與所述壓電膜不同。

根據本發明的另一方面，提供了一種橫向耦合多模單片濾波器，該橫向耦合多模單片濾波器包括：襯底；壓電膜，該壓電膜形成在所述襯底上；地電極，該地電極形成在所述壓電膜的第一表面上；信號電極，該信號電極形成在所述壓電膜的第二表面上并且包括第一電極指和第二電極指，所述第二表面與所述第一表面相反，所述第二電極指具有與所述第一電極指的電位不同的電位；以及反相電極，該反相電極在所述第一電極指和所述第二電極指的布置方向上在所述信號電極的外側包括第三電極指和第四電極指，所述第三電極指具有與所述第一電極指的電位相同的電位，所述第四電極指具有與所述第二電極指的電位相同的電位，其中，彼此相鄰的所述第一電極指和所述第三電極指具有相同的電位，或者彼此相鄰的所述第二電極指和所述第四電極指具有相同的電位。

附圖說明

圖1A是根據第一比較例的濾波器的平面圖，并且圖1B是沿著圖1A中的線A-A截取的橫截面圖；

圖2A和圖2B是例示了壓電膜相對于位置的位移的圖，并且圖2C是頻率對衰減的圖；