[發明專利]聚酰亞胺發泡基材嵌入式二極管天線板及其生產工藝

在審

• 申請號: 201510873653.5
• 申請日: 2015-12-02
• 公開（公告）號: CN105407626A
• 公開（公告）日: 2016-03-16
• 發明（設計）人: 金壬海;葉江峰;戴旭平;徐佳佳
• 申請（專利權）人: 浙江九通電子科技有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K3/00;H05K3/46;B32B27/28;B32B3/24;B32B33/00
• 代理公司: 北京中政聯科專利代理事務所(普通合伙) 11489
• 代理人: 吳建鋒

技術領域

本發明屬于天線板技術領域，尤其涉及一種聚酰亞胺發泡基材嵌入式二極管天線板及其生產工藝。

背景技術

在機載雷達裝置、相控陣系統、遙感衛星等上應用的大型印制電路饋電板、微帶天線和天線陣等，需要部分小型印制電路天線，同時在這些天線電路中需要使用具有多層線路板的天線板。傳統的天線板均為多層板結構，采用熱壓合工藝(溫度在200℃)將線路板與泡沫材料連接。由于高密度聚酰亞胺發泡在200℃下會受熱膨脹變形，導致各層線路板之間的層間對位誤差較大。

故，針對目前現有技術中存在的上述缺陷，實有必要進行研究，以提供一種方案，解決現有技術中存在的缺陷。

發明內容

本發明的目的是針對上述問題，提供一種能夠提高層間對位精度的聚酰亞胺發泡基材嵌入式二極管天線板。

本發明的另外一個目的是針對上述問題，提供一種能夠提高層間對位精度且工藝簡單的聚酰亞胺發泡基材嵌入式二極管天線板。

為達到上述目的，本發明采用了下列技術方案：本聚酰亞胺發泡基材嵌入式二極管天線板包括居中設置的第一泡沫層，在第一泡沫層的兩面分別設有對稱設置的第二泡沫層，所述第一泡沫層和第二泡沫層分別由聚酰亞胺泡沫材料制成，所述的第一泡沫層和第二泡沫層之間設有嵌入式二極管線路層，所述的嵌入式二極管線路層與第一泡沫層之間通過第一低溫粘結片連接，所述的嵌入式二極管線路層與第二泡沫層之間通過第二低溫粘結片連接，兩塊嵌入式二極管線路層的層間對位精度為：測量值≤0.05mm。本實施例的天線板厚度為25.5±10％。

在上述的聚酰亞胺發泡基材嵌入式二極管天線板中，每塊嵌入式二極管線路層分別包括對稱設置的第一薄介質板和第二薄介質板，在第一薄介質板和第二薄介質板之間設有線路，在線路上設有若干依次串聯的二極管開關，在第一薄介質板的兩端分別設有與線路電連的第一金屬過孔，在第二薄介質板的兩端分別設有與線路電連的第二金屬過孔，每個第一金屬過孔分別與第一控制線連接，每個第二金屬過孔分別與第二控制線連接。線路上的線路精度為0.12±0.02mm。

在上述的聚酰亞胺發泡基材嵌入式二極管天線板中，所述的第一金屬過孔與第二金屬過孔一一對應且第一金屬過孔的軸心線與第二金屬過孔的軸心線重合。

在上述的聚酰亞胺發泡基材嵌入式二極管天線板中，在每塊第一薄介質板靠近第二薄介質板的一面分別設有二極管定位槽，所述的二極管開關位于二極管定位槽中且在二極管開關周向與二極管定位槽之間形成環形間隙，所述二極管定位槽的槽深大于二極管開關的厚度。

在上述的聚酰亞胺發泡基材嵌入式二極管天線板中，所述的線路上連接有金線，所述的金線通過引線鍵合使金線固定在二極管開關上，所述的金線拉力：≥3gf。

在上述的聚酰亞胺發泡基材嵌入式二極管天線板中，所述第一泡沫層密度高于第二泡沫層的密度，所述的第二泡沫層厚度為第一泡沫層的兩倍。

在上述的聚酰亞胺發泡基材嵌入式二極管天線板中，所述第一薄介質板和第二薄介質板均為絕緣薄介質板，所述的第一薄介質板和第二薄介質板厚度分別為小于0.13mm。

在上述的聚酰亞胺發泡基材嵌入式二極管天線板中，所述的第一低溫粘結片和第二低溫粘結片的粘結溫度為121-148℃。

為達到上述另外一個目的，本發明采用了下列技術方案：

聚酰亞胺發泡基材嵌入式二極管天線板的生產工藝包括如下步驟：

A、備料：制備第一泡沫層、兩塊第二泡沫層和兩塊嵌入式二極管線路層，第一泡沫層和兩塊第二泡沫層分別由聚酰亞胺泡沫材料制成且第一泡沫層的密度大于第二泡沫層的密度；

B、粘合：將兩塊嵌入式二極管線路層中的一塊嵌入式二極管線路層放置在第一泡沫層與兩塊第二泡沫層中的一塊第二泡沫層之間，同時，還將另外一塊嵌入式二極管線路層放置在第一泡沫層與另外一塊第二泡沫層之間，在嵌入式二極管線路層與第一泡沫層之間設有第一低溫粘結片，所述的嵌入式二極管線路層與第二泡沫層之間設有第二低溫粘結片，所述的第一低溫粘結片和第二低溫粘結片的粘結溫度為121-148℃且通過熱壓合工藝使各層之間固定，兩塊嵌入式二極管線路層的層間對位精度為：測量值≤0.05mm，即制得天線板成品。

在上述的聚酰亞胺發泡基材嵌入式二極管天線板生產工藝中，在上述的A步驟中，

制備嵌入式二極管線路層的過程如下：