[發明專利]一種檢測轉基因CaMV35S啟動子的電極的制備方法及用途

在審

• 申請號: 201510848286.3
• 申請日: 2015-11-27
• 公開（公告）號: CN105372307A
• 公開（公告）日: 2016-03-02
• 發明（設計）人: 李雅琪;王坤;蔡建榮;孫力
• 申請（專利權）人: 江蘇大學
• 主分類號: G01N27/327
• 分類號: G01N27/327
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種檢測轉基因CaMV35S啟動子電極的制備方法，其特征在于，包括：

步驟1、還原氧化石墨烯/金納米復合材料RGO/Au的制備步驟；

步驟2、二氧化硅納米微球@碲化鎘納米復合材料SiO₂@CdTe的制備步驟；

步驟3、在ITO電極上制備探針1的步驟：將RGO/Au分散于蒸餾水中得到RGO/Au分 散液后滴涂于ITO電極表面的修飾區，進行干燥；取溶有探針1的tris-HCl緩沖液滴涂于所 述干燥后的RGO/Au表面，進行干燥；沖洗電極表面后，進行干燥，得到ITO-rGO/Au-Probe1；

步驟4、向探針1修飾目標DNACaMV35S啟動子的步驟：取溶有目標DNACaMV35S 啟動子的tris-HCl緩沖液滴涂于所述ITO-rGO/Au-Probe1的表面，室溫孵育，待干燥后沖洗 電極，得到ITO-rGO/Au-Probe1-t-DNA；

步驟5、向目標DNACaMV35S啟動子修飾探針2的步驟：將SiO₂@CdTe的蒸餾水分散 液和N-羥基琥珀酰亞胺的水溶液加入到乙基-(3-二甲基氨丙基)碳二亞胺鹽酸鹽的水溶液中 進行反應，反應結束后，離心并洗滌得到固體A，將所得固體A加入到溶有探針2的tris-HCl 緩沖液中，得到混合液A，振蕩反應一段時間后，得到固體產物Probe2/SiO₂@CdTe；將 Probe2/SiO₂@CdTe分散于蒸餾水中后，得到混合液B，將混合液B滴涂于所述 ITO-rGO/Au-Probe1-t-DNA表面，孵育，待干燥后沖洗電極表面，得到 ITO-rGO/Au-Probe1-t-DNA-Probe2/SiO₂@CdTe。

2.由權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3中，RGO/Au分散液的濃度為1～4mg/mL， 滴涂于ITO表面的RGO/Au分散液的量為20μL；溶有探針1的tris-HCl緩沖液用量為10μL， 探針1的濃度為4μM。

3.由權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟4中，溶有目標DNA的tris-HCl緩沖液 用量為20μL，目標DNACaMV35S啟動子的濃度為0.05pM～100pM。

4.由權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟5中，所用的SiO₂@CdTe的蒸餾水分散 液、N-羥基琥珀酰亞胺的水溶液、乙基-(3-二甲基氨丙基)碳二亞胺鹽酸鹽的水溶液的體積 比25:1:1；所用的SiO₂@CdTe的蒸餾水分散液的濃度為1mg/mL，N-羥基琥珀酰亞胺的水溶 液的濃度為0.2M，乙基-(3-二甲基氨丙基)碳二亞胺鹽酸鹽的水溶液的濃度為0.4M；混合 液A中，所用的溶有探針2的tris-HCl緩沖液中探針2的濃度為10μM，且混合液A中，每 100μLtris-HCl緩沖液中含有1mgSiO₂@CdTe；混合液B中，Probe2/SiO₂@CdTe的濃度為4μM。

5.由權利要求1～4任意一項所述的方法，其特征在于，SiO₂@CdTe的制備方法為：選取 硅球加入到鄰苯二甲酸二乙二醇二丙烯酸酯中，攪拌反應，攪拌反應完畢進行離心、洗滌后， 取沉淀加入到CdTe的蒸餾水分散液中，攪拌反應，反應結束后，離心、洗滌、干燥，得到產 物，備用。

6.由權利要求1～4任意一項所述的方法，其特征在于，所用的探針1序列為5’HS-GGCC ATCGTTGAA3’；目標DNACaMV35S啟動子序列為5’GGCAGAGGCATCTTCAACGAT GGCC3’；探針2序列為5’GATGCCTCTGCC-NH23’。

7.由權利要求1～4任意一項所述的方法，其特征在于，在進行向目標DNA修飾探針2前， 先取新鮮配置的0.01mM6-巰基己醇20μL，滴加在ITO-rGO/Au-Probe1-t-DNA表面，2小時 后用，用PH7.0的PBS緩沖液沖洗電極3次。