[發明專利]用于涂覆表面的裝置、系統和方法

在審

• 申請號: 201510829557.0
• 申請日: 2015-11-25
• 公開（公告）號: CN105734637A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 青島金智高新技術有限公司
• 主分類號: C25D11/02
• 分類號: C25D11/02
• 代理公司: 青島申達知識產權代理有限公司 37243
• 代理人: 蔣遙明

1.一種在結構的表面上形成金屬氧化物納米管的方法，所述方法包括：將包括金屬的結構相對于一個或多個陰極定位，其中所述金屬是所述結構的至少0.1重量％并且所述結構與陽極相接觸；將所述結構和所述一個或多個陰極的至少一部分浸入電解質溶液中；以及在所述陽極與所述一個或多個陰極之間施加電能持續足以在所述結構的所述表面上形成至少一個金屬氧化物納米管的一段時間。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述一個或多個陰極包括至少三個陰極。

3.如權利要求2所述的方法，其中包括所述金屬的結構被定位在距離所述至少三個陰極中的每個的相等距離處。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述納米管包括所述金屬的氧化物。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述金屬的所述氧化物是包括鋁、鈮、鉭、鈦、鎢、鋯或其混合物的氧化物的金屬氧化物。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述金屬是所述結構的至少10重量％。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述時間段足以在所述結構的所述表面上形成至少一個具有至少10nm長度的納米管。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述至少一個納米管的直徑是在1nm至1,000nm范圍內的直徑。

9.如權利要求1所述的方法，其中所述至少一個納米管的直徑是在10nm至200nm范圍內的直徑。