[發(fā)明專利]一種PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片制造工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510829368.3 | 申請日: | 2015-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN105472792A | 公開(公告)日: | 2016-04-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉小強(qiáng) | 申請(專利權(quán))人: | 浙江哈億曼電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H05B3/22 | 分類號: | H05B3/22;H05B3/10;C04B35/64 |
| 代理公司: | 北京天奇智新知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11340 | 代理人: | 韓洪 |
| 地址: | 314300 浙江省嘉*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 ptc 熱敏 陶瓷 發(fā)熱 制造 工藝 | ||
1.一種PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片制造工藝,其特征在于:包括配料、球磨、高速攪 拌、噴霧造粒、壓制成型、燒結(jié)、磨片、倒角、清洗、上電極、耐壓測試、 阻值分選和包裝,具體步驟如下:
(a)配料:在配料室里,把粉料按照一定的配方,配制出合格的粉料;
(b)球磨:把配料好的粉料放入至臥式球磨機(jī),進(jìn)行球磨24小時(shí);
(c)攪拌:把球磨好的料漿泵送至滾筒式攪拌筒里進(jìn)行攪拌,攪拌時(shí)間1~2 個(gè)小時(shí),攪拌強(qiáng)度根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行選擇;
(d)噴霧造粒:攪拌均勻的混合料泵送到噴霧造粒機(jī)內(nèi),進(jìn)行噴霧造粒;
(e)壓制成型:經(jīng)過噴霧造粒后的顆粒放置在壓片成型機(jī)里,經(jīng)過噴霧造粒 機(jī)壓制成片狀,也可以根據(jù)需求壓制成各種規(guī)格尺寸;
(f)燒結(jié):將壓制成片狀的PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片碼放在瓷缽內(nèi),然后進(jìn)窯燒 結(jié),燒結(jié)制度根據(jù)PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片的技術(shù)性能指標(biāo)進(jìn)行設(shè)定;
(g)磨片:燒制好的PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片1,待冷卻后利用打磨機(jī),對PTC 熱敏陶瓷發(fā)熱片1進(jìn)行表面和四周的打磨,使得PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片1表面燒 制的灰塵和燒痕打磨干凈;
(h)倒角:將打磨好的PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片流轉(zhuǎn)至倒角機(jī)進(jìn)行倒角,使得 PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片上設(shè)有倒角;
(i)清洗:將倒完角后的PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片1用特制的清洗水進(jìn)行清洗, 把PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片1表面的灰塵清洗干凈;
(j)上電極:在清洗干凈并烘干后的PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片1上進(jìn)行噴鋁;
(k)測耐壓:對噴完鋁后的PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片1進(jìn)行電壓測試,利用不同 的電壓通過PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片1進(jìn)行電壓測試;
(l)阻值分選:不同的溫度可燒制出不同的阻值,同一溫度也可能燒制成不 同的阻值,因此對耐壓測試后的PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片1進(jìn)行電阻測試,根據(jù)不 同的阻值進(jìn)行不同的篩選分類;
(m)包裝:對制成的PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片1進(jìn)行質(zhì)量檢測,挑選出質(zhì)量不 合格的PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片1,然后根據(jù)不同的阻值進(jìn)行分類包裝入庫。
2.如權(quán)利要求1所述的一種PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片制造工藝,其特征在于:所述 步驟(f)中,燒制過程中把待燒制的PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片1放置在燒制容 器中,并且在燒制容器最外側(cè)放置一列起保護(hù)作用的陶瓷塊。
3.如權(quán)利要求1所述的一種PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片制造工藝,其特征在于:所述 步驟(f)中,燒制PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片1的燒制曲線分為三段式,第一段 為升溫區(qū)、第二段為恒溫區(qū)而第三段則為降溫區(qū)。
4.如權(quán)利要求3所述的一種PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片制造工藝,其特征在于:所述 升溫區(qū)的溫度范圍為從室溫到1300℃,升溫時(shí)間為3個(gè)小時(shí),所述恒溫區(qū)恒 定溫度為1300℃,恒溫時(shí)間為4個(gè)小時(shí),所述降溫區(qū)的溫度范圍為1300℃降 至40℃,降溫時(shí)間為3個(gè)小時(shí)。
5.如權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的一種PTC熱敏陶瓷發(fā)熱片制造工藝,其 特征在于:所述升溫區(qū)為持續(xù)升溫區(qū),升溫曲線為一條斜直線,而所述降溫 過程是隨燒制爐慢慢空冷至室溫。
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